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ZC831B 데이터시트 PDF




Zetex Semiconductors에서 제조한 전자 부품 ZC831B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 ZC831B 자료 제공

부품번호 ZC831B 기능
기능 SOT23 SILICON VARIABLE CAPACITANCE DIODES
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고


ZC831B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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ZC831B 데이터시트, 핀배열, 회로
SOT23 SILICON VARIABLE
CAPACITANCE DIODES
ISSUE 5 – JANUARY 1998
FEATURES
* Close Tolerance C-V Characteristics
* High Tuning Ratio
* Low IR
Enabling Excellent Phase Noise Performance
(IR Typically <200pA at 25V)
1
3
ZC830/A/B
to
ZC836/A/B
2
1
3
SOT23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Forward Current
Power Dissipation at Tamb=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
IF
Ptot
Tj:Tstg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb =25°C)
PARAMETER
SYMBOL MIN TYP
MAX
Reverse Breakdown
Voltage
VBR 25
Reverse Voltage Leakage
Temperature Coefficient
of Capacitance
IR
η
0.2
0.03
10
0.04
TUNING CHARACTERISTICS (at Tamb =25°C)
PART NO
Nominal Capacitance (pF)
VR=2V, f=1MHz
MIN
NOM
MAX
Minimum
Q
@ VR=3V
f=50MHz
ZC830A
9.0 10.0 11.0 300
ZC831A
13.5 15.0 16.5 300
ZC832A
19.8 22.0 24.2 200
ZC833A
29.7 33.0 36.3 200
ZC834A
42.3 47.0 51.7 200
ZC835A
61.2 68.0 74.8 100
ZC836A
90.0
100.0
110.0
100
Note:
No suffix ±20% (e.g. ZC830), suffix B ± 5% (e.g. ZC830B)
Spice parameter data is available upon request for this device
MAX
200
330
-55 to +150
UNIT
mA
mW
°C
UNIT CONDITIONS
V IR=10µA
nA VR=20V
%/°C VR=3V, f=1MHz
Capacitance Ratio
C2 / C20
at f=1MHz
MIN
MAX
4.5 6.0
4.5 6.0
5.0 6.5
5.0 6.5
5.0 6.5
5.0 6.5
5.0 6.5





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