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부품번호 | ZC831B 기능 |
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기능 | SOT23 SILICON VARIABLE CAPACITANCE DIODES | ||
제조업체 | Zetex Semiconductors | ||
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전체 2 페이지수
SOT23 SILICON VARIABLE
CAPACITANCE DIODES
ISSUE 5 – JANUARY 1998
FEATURES
* Close Tolerance C-V Characteristics
* High Tuning Ratio
* Low IR
Enabling Excellent Phase Noise Performance
(IR Typically <200pA at 25V)
1
3
ZC830/A/B
to
ZC836/A/B
2
1
3
SOT23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Forward Current
Power Dissipation at Tamb=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
IF
Ptot
Tj:Tstg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb =25°C)
PARAMETER
SYMBOL MIN TYP
MAX
Reverse Breakdown
Voltage
VBR 25
Reverse Voltage Leakage
Temperature Coefficient
of Capacitance
IR
η
0.2
0.03
10
0.04
TUNING CHARACTERISTICS (at Tamb =25°C)
PART NO
Nominal Capacitance (pF)
VR=2V, f=1MHz
MIN
NOM
MAX
Minimum
Q
@ VR=3V
f=50MHz
ZC830A
9.0 10.0 11.0 300
ZC831A
13.5 15.0 16.5 300
ZC832A
19.8 22.0 24.2 200
ZC833A
29.7 33.0 36.3 200
ZC834A
42.3 47.0 51.7 200
ZC835A
61.2 68.0 74.8 100
ZC836A
90.0
100.0
110.0
100
Note:
No suffix ±20% (e.g. ZC830), suffix B ± 5% (e.g. ZC830B)
Spice parameter data is available upon request for this device
MAX
200
330
-55 to +150
UNIT
mA
mW
°C
UNIT CONDITIONS
V IR=10µA
nA VR=20V
%/°C VR=3V, f=1MHz
Capacitance Ratio
C2 / C20
at f=1MHz
MIN
MAX
4.5 6.0
4.5 6.0
5.0 6.5
5.0 6.5
5.0 6.5
5.0 6.5
5.0 6.5
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
ZC831 | SOT23 SILICON VARIABLE CAPACITANCE DIODES | Zetex Semiconductors |
ZC831A | SOT23 SILICON VARIABLE CAPACITANCE DIODES | Zetex Semiconductors |
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