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VQ3001P 데이터시트 PDF




Vishay Siliconix에서 제조한 전자 부품 VQ3001P은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 VQ3001P 자료 제공

부품번호 VQ3001P 기능
기능 Dual N-/Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETs
제조업체 Vishay Siliconix
로고 Vishay Siliconix 로고


VQ3001P 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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VQ3001P 데이터시트, 핀배열, 회로
VQ3001J/P
Vishay Siliconix
Dual N-/Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETs
PRODUCT SUMMARY
N-Channel
P-Channel
V(BR)DSS Min (V)
30
–30
rDS(on) Max (W)
1 @ VGS = 12 V
2 @ VGS = –12 V
VGS(th) (V)
0.8 to 2.5
–2 to –4.5
ID (A)
0.85
–0.6
FEATURES
D Low On-Resistance: 0.8/1.6 W
D Low Threshold: 1.5/–3.1 V
D Low Input Capacitance: 38/60 pF
D Fast Switching Speed: 9/16 ns
D Low Input and Output Leakage
BENEFITS
D Low Offset Voltage
D Low-Voltage Operation
D Easily Driven Without Buffer
D High-Speed Circuits
D Low Error Voltage
APPLICATIONS
D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,
Displays, Memories, Transistors, etc.
D Battery Operated Systems
D Solid-State Relays
Dual-In-Line
D1 1
N S1 2
G1 3
NC 4
G2 5
P S2 6
D2 7
14 D4
13 S4
12 G4
11 NC
10 G3
9 S3
8 D3
P
N
Top View
Plastic: VQ3001J
Sidebraze: VQ3001P
Device Marking
Top View
VQ3001J
“S” fllxxyy
VQ3001P
“S” fllxxyy
“S” = Siliconix Logo
f = Factory Code
ll = Lot Traceability
xxyy = Date Code
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Single
Parameter
Symbol
N-Channel P-Channel Total Quad
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
VQ3001J
VQ3001P
Continuous Drain Current
(TJ = 150_C)
Pulsed Drain Currenta
TA= 25_C
TA= 100_C
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
TA= 25_C
TA= 100_C
Operating Junction and Storage Temperature Range
VDS
VGS
ID
IDM
PD
RthJA
TJ, Tstg
30
"20
"20
0.85
0.52
3
1.3
0.52
96.2
–55 to 150
30
"20
"20
–0.6
–0.37
–2
1.3 2
0.52
0.8
96.2
62.5
–55 to 150
Notes
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.
Unit
V
A
W
_C/W
_C
Document Number: 70221
S-04279—Rev. D, 16-Jul-01
www.vishay.com
11-1




VQ3001P pdf, 반도체, 판매, 대치품
VQ3001J/P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
N-CHANNEL
Threshold Region
10
VDS = 10 V
TJ = 150_C
1
Capacitance
120
VGS = 0 V
100 f = 1 MHz
80
100_C
0.1
25_C
0.01
0.6
6
5
55_C
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
VGS Gate-to-Source Voltage (V)
Gate Charge
ID = 1 A
2.0
60
40
Ciss
Coss
20
Crss
0
0 10 20 30 40
VDS Drain-to-Source Voltage (V)
Load Condition Effects on Switching
100
VDD = 25 V
RG = 25 W
VGS = 0 to 10 V
50
4
VDS = 15 V
3
24 V
2
1
10
td(on)
tr
td(off)
tf
0
0 80 160 240 320 400
Qg Total Gate Charge (pC)
Drive Resistance Effects on Switching
100
VDD = 25 V
RL = 24 W
VGS = 0 to 10 V
ID = 1 A
10
1
10
td(on)
td(off)
tf
tr
50
RG Gate Resistance (W)
100
1
0.1
500
400
300
1
ID Drain Current (A)
Transconductance
TJ = 55_C
25_C
10
150_C
200
100
0
0
VDS = 7.5 V
300 ms, 1% Duty Cycle
Pulse Test
100 200 300 400
ID Drain Current (mA)
500
www.vishay.com
11-4
Document Number: 70221
S-04279Rev. D, 16-Jul-01

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