|
|
|
부품번호 | VHB10-12S 기능 |
|
|
기능 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | ||
제조업체 | Advanced Semiconductor | ||
로고 | |||
VHB10-12S
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VHB10-12S is Designed for
FEATURES:
•
•
• Omnigold™ Metalization System
MAXIMUM RATINGS
IC 2.0 A
VCBO
36 V
VCEO
18 V
VCES
36 V
VEBO
PDISS
TJ
TSTG
θJC
4.0 V
20 W @ TC = 25 OC
-65 OC to +200 OC
-65 OC to +150 OC
8.8 OC/W
PACKAGE STYLE .380 4L STUD
.112x45°
A
B
ØC
D
#8-32 UNC-2A
HI
J
G
F
E
DIM
MINIMUM
inches / mm
A .220 / 5.59
B .980 / 24.89
C .370 / 9.40
D .004 / 0.10
E .320 / 8.13
F .100 / 2.54
G .450 / 11.43
H .090 / 2.29
I .155 / 3.94
J
MAXIMUM
inches / mm
.230 / 5.84
.385 / 9.78
.007 / 0.18
.330 / 8.38
.130 / 3.30
.490 / 12.45
.100 / 2.54
.175 / 4.45
.750 / 19.05
ORDER CODE: ASI10713
CHARACTERISTICS TC = 25 OC
SYMBOL
NONETEST CONDITIONS
BVCEO
IC = 15 mA
BVCES
IC = 50 mA
BVEBO
IE = 2.5 mA
ICBO
VCB = 15 V
hFE VCE = 5.0 V
IC = 250 mA
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
18
36
4.0
1.0
5.0 200
UNITS
V
V
V
mA
---
COB VCB = 12.5 V
f = 1.0 MHz
45 pF
PG
VCE = 12.5 V
POUT = 10 W
ηC
f = 175 MHz
10
60
dB
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
1/1
| |||
구 성 | 총 1 페이지수 | ||
다운로드 | [ VHB10-12S.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
VHB10-12F | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
VHB10-12S | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |