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VHB25-12F 데이터시트 PDF




Advanced Semiconductor에서 제조한 전자 부품 VHB25-12F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 VHB25-12F 자료 제공

부품번호 VHB25-12F 기능
기능 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Advanced Semiconductor
로고 Advanced Semiconductor 로고


VHB25-12F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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VHB25-12F 데이터시트, 핀배열, 회로
VHB25-12F
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VHB25-12F is Designed for
FEATURES:
Omnigold™ Metalization System
MAXIMUM RATINGS
IC 4.0 A
VCBO
36 V
VCEO
18 V
VEBO
PDISS
TJ
TSTG
θJC
4.0 V
65 W @ TC = 25 OC
-65 OC to +200 OC
-65 OC to +150 OC
3.5 OC/W
PACKAGE STYLE .380 4L FLG
.112 x 45°
B
A
Ø.125 NOM.
FULL R
J
.125
C
D
E
F
GH I
DIM
MINIMUM
inches / mm
A .220 / 5.59
B .785 / 19.94
C .720 / 18.29
D .970 / 24.64
E
F .004 / 0.10
G .085 / 2.16
H .160 / 4.06
I
J .240 / 6.10
MAXIMUM
inches / mm
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
ORDER CODE: ASI10714
CHARACTERISTICS TC = 25 OC
SYMBOL
NONETEST CONDITIONS
BVCEO
IC = 50 mA
BVCES
IC = 15 mA
BVEBO
IE = 5.0 mA
ICBO
VCB = 15 V
hFE VCE = 5.0 V
IC = 250 mA
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
18
36
4.0
5.0
20 ---
UNITS
V
V
V
mA
---
COB VCB = 12.5 V
f = 1.0 MHz
110 pF
PG
VCE = 12.5 V
POUT = 25 W
f = 175 MHz
10
ηC
60
dB
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1200 FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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