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US1BB 데이터시트 PDF




Shanghai Sunrise Electronics에서 제조한 전자 부품 US1BB은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 US1BB 자료 제공

부품번호 US1BB 기능
기능 SURFACE MOUNT ULTRA FAST SWITCHING RECTIFIER
제조업체 Shanghai Sunrise Electronics
로고 Shanghai Sunrise Electronics 로고


US1BB 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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US1BB 데이터시트, 핀배열, 회로
SHANGHAI SUNRISE ELECTRONICS CO., LTD.
US1AB THRU US1MB
SURFACE MOUNT ULTRA
FAST SWITCHING RECTIFIER
TECHNICAL
SPECIFICATION
VOLTAGE: 50 TO 1000V CURRENT: 1.0A
FEATURES
• Ideal for surface mount pick and
place application
• Low profile package
• Built-in strain relief
• High surge capability
• Glass passivated chip
• Ultra fast recovery for high efficiency
• High temperature soldering guaranteed:
260oC/10sec/at terminal
MECHANICAL DATA
• Terminal: Plated leads solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
• Case: Molded with UL-94 Class V-O
recognized flame retardant epoxy
• Polarity: Color band denotes cathode
SMB/DO-214AA
B
AC
F
G
D
H
ABCD
MAX. .155(3.94) .180(4.57) .083(2.11) .012(0.305)
MIN. .130(3.30) .160(4.06) .077(1.96) .006(0.152)
E FGH
MAX. .220(5.59) .096(2.44) .008(0.203) .060(1.52)
MIN. .205(5.21) .084(2.13) .004(0.102) .030(0.76)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Single-phase, half-wave, 60Hz, resistive or inductive load rating at 25oC, unless otherwise stated, for capacitive load,
derate current by 20%)
RATINGS
SYMBOL
US1
AB
US1
BB
US1
DB
US1
GB
US1
JB
US1
KB
US1
MB
UNITS
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
50 100 200 400 600 800 1000 V
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
(TL=100oC)
VRMS
VDC
IF(AV)
35 70 140 280 420 560 700
50 100 200 400 600 800 1000
1.0
V
V
A
Peak Forward Surge Current (8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load)
IFSM
30
A
Maximum Instantaneous Forward Voltage
(at rated forward current)
Maximum DC Reverse Current
(at rated DC blocking voltage)
Ta=25oC
Ta=100oC
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
VF
IR
trr
1.0
50
1.4
5.0
200
1.7
75
V
µA
µA
nS
Typical Junction Capacitance
(Note 2)
Typical Thermal Resistance
(Note 3)
Storage and Operation Junction Temperature
Note:
CJ
Rθ(ja)
TSTG,TJ
20
32
-50 to +150
10
pF
oC/W
oC
1.Reverse recovery condition IF=0.5A, IR=1.0A,Irr=0.25A.
2.Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0Vdc
3.Thermal resistance from junction to terminal mounted on 5×5mm copper pad area
http://www.sse-diode.com





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