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TS7994 데이터시트 PDF




Sanyo Semicon Device에서 제조한 전자 부품 TS7994은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 TS7994 자료 제공

부품번호 TS7994 기능
기능 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
제조업체 Sanyo Semicon Device
로고 Sanyo Semicon Device 로고


TS7994 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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TS7994 데이터시트, 핀배열, 회로
Ordering number :EN5962
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
TS7994
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
• High speed.
• High breakdown voltage (VCBO=1600V).
• High reliability (Adoption of HVP process).
• Adoption of MBIT process.
Package Dimensions
unit:mm
2048B-TO3PBL
[TS7994]
20.0 ø3.3
5.0
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Parameter
Colletctor-to-Base Voltage
Colletctor-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Tc=25˚ C
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C
2.0
3.4
1.2
1 23
5.45 5.45
0.6
1:Base
2:Collector
3:Emitter
SANYO:TO-3PBL
Conditions
Ratings
1600
800
6
25
50
3.5
210
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
W
˚C
˚C
Parameter
Collector Cutoff Current
Collector Sustain Voltage
Emitter Cutoff Current
Collector Cutoff Current
DC Current Gain
C-E Saturation Voltage
B-E Saturation Voltage
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
ICES
VCEO(SUS)
IEBO
ICBO
hFE(1)
hFE(2)
VCE(sat)
VBE(sat)
tstg
tf
VCE=1600V, RBE=0
IC=100mA, IB=0
VEB=4V, IC=0
VCB=800V, IE=0
VCE=5V, IC=1.0A
VCE=5V, IC=18A
IC=18A, IB=4.5A
IC=18A, IB=4.5A
IC=15A, IB1=2.5A, IB2=–6.25A
IC=15A, IB1=2.5A, IB2=–6.25A
Ratings
min typ
800
15
4
max
1.0
1.0
10
30
7
5
1.5
3.0
0.2
Unit
mA
V
mA
µA
V
V
µs
µs
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
42498TS (KOTO) TA-1622 No.5962-1/3





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