|
|
|
부품번호 | TODV1040 기능 |
|
|
기능 | ALTERNISTORS | ||
제조업체 | STMicroelectronics | ||
로고 | |||
TODV 640 ---> 1240
ALTERNISTORS
FEATURES
. HIGH COMMUTATION : > 142 A/ms (400Hz)
. INSULATING VOLTAGE = 2500V(RMS)
(UL RECOGNIZED : EB1734)
. HIGH VOLTAGE CAPABILITY : VDRM = 1200 V
A2
G
A1
DESCRIPTION
The TODV 640 ---> 1240 use a high performance
passivated glass alternistor technology. Featuring
very high commutation levels and high surge cur-
rent capability, this family is well adapted to power
control on inductive load (motor, transformer...)
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)
Symbol
IT(RMS)
RMS on-state current
(360° conduction angle)
Parameter
Tc = 75 °C
ITSM
I2t
dI/dt
Tstg
Tj
Tl
Non repetitive surge peak on-state current
( Tj initial = 25°C )
tp = 2.5 ms
tp = 8.3 ms
I2t value
tp = 10 ms
tp = 10 ms
Critical rate of rise of on-state current
Gate supply : IG = 500mA diG/dt = 1A/µs
Repetitive
F = 50 Hz
Non
Repetitive
Storage and operating junction temperature range
Maximum lead temperature for soldering during 10 s at 4.5 mm
from case
RD91
(Plastic)
Value
40
590
370
350
610
20
100
- 40 to + 150
- 40 to + 125
260
Unit
A
A
A2s
A/µs
°C
°C
°C
Symbol
Parameter
VDRM
VRRM
Repetitive peak off-state voltage
Tj = 125 °C
March 1995
TODV
Unit
640
840
1040
1240
600
800
1000
1200
V
1/5
TODV 640 ---> 1240
Fig.7 : Non repetitive surge peak on-state current for a
sinusoidal pulse with width : t ≤ 10ms, and
corresponding value of I2t.
Fig.8 : On-state characteristics (maximum values).
Fig.9 : Safe operating area.
4/5
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
다운로드 | [ TODV1040.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
TODV1040 | ALTERNISTORS | STMicroelectronics |
TODV1040 | ALTERNISTORS | STMicroelectronics |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |