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RG1B 데이터시트 PDF




General Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RG1B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 RG1B 자료 제공

부품번호 RG1B 기능
기능 GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER
제조업체 General Semiconductor
로고 General Semiconductor 로고


RG1B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RG1B 데이터시트, 핀배열, 회로
RG1A THRU RG1M
GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 1.0 Ampere
DO-204AP
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA.
1.0 (25.4)
MIN.
0.150 (3.8)
0.100 (2.5)
DIA.
0.240 (6.1)
MAX.
1.0 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
*Brazed-lead assembly is covered by Patent No. 3,930,306
FEATURES
High temperature metallurgically bonded
construction
Hermetically sealed package
Glass passivated cavity-free junction
1.0 Ampere operation
at TA=55°C with no
thermal runaway
Typical IR less than 0.1µA
Capable of meeting environmental standards of
MIL-S-19500
Fast switching for high efficiency
High temperature soldering guaranteed:
350°C/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3kg) tension
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO204AP solid glass body
Terminals: Solder plated axial leads, solderable per
MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.02 ounce, 0.56 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOLS
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
Maximum RMS voltage
VRMS
Maximum DC blocking voltage
VDC
Maximum average forward rectified current
0.375” (9.5mm) lead length at TA=55°C
I(AV)
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed
on rated load (JEDEC Method)
IFSM
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
VF
Maximum full load reverse current,
full cycle average 0.375” (9.5mm)
lead length at
TA=25°C
TA=100°C
IR(AV)
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
IR
Maximum reverse recovery time (NOTE 1)
trr
Typical junction capacitance (NOTE 2)
CJ
Typical thermal resistance (NOTE 3)
Operating junction and storage temperature range
RΘJA
TJ, TSTG
RG1A
50
35
50
RG1B
100
70
100
RG1D
200
140
200
RG1G
400
280
400
1.0
RG1J
600
420
600
30.0
1.3
1.0
100.0
2.0
150 200
15.0
55.0
-65 to +175
RG1K
800
560
800
250
NOTES:
(1) Reverse recovery test conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A
(2) Measured at 1.0 MHZ and applied reverse voltage of 4.0 Volts
(3) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted
RG1M
1000
700
1000
500
UNITS
Volts
Volts
Volts
Amp
Amps
Volts
µA
µA
ns
pF
°C/W
°C
4/98





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