|
|
|
부품번호 | RJJ03G0292_HRV103A 기능 |
|
|
기능 | Silicon Schottky Barrier Diode | ||
제조업체 | ETC | ||
로고 | |||
www.DataSheet4U.net
HRV103A
Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying
REJ03G0398-0100
Rev.1.00
Oct 12, 2004
Features
• Low forward voltage drop and suitable for high efficiency rectifying.
• Thin Ultra small Resin Package (TURP) is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.
Ordering Information
Type No.
HRV103A
Laser Mark
S1
Package Code
TURP
Pin Arrangement
Cathode mark
Mark
1 S1 2
1. Cathode
2. Anode
Rev.1.00 Oct 12, 2004 page 1 of 5
HRV103A
0.8
0.7 0A t
0.6
T
Tj = 25°C
D = —t
T
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
D=1/6
sin(θ=180°)
D=1/3
D=1/2
DC
0
0 0.5 1.0 1.5
Forward current IF (A)
Fig.4 Forward power dissipation vs. Forward current
1.2
VR=VRRM/3
Tj =125°C
Rth(j−a)=100°C/W
1.0
0.8
D=1/2
sin(θ=180°)
0.6
D=1/3
D=1/6
0.4
DC
8
0V
7
t
6
T
D = —t
T
Tj = 125°C
5
4
3
2
1
D=5/6
D=1/3
D=1/2
sin(θ=180°)
0
0 10 20 30 40
Reverse voltage VR (V)
Fig.5 Reverse power dissipation vs. Reverse voltage
0.2
0
−25 0
25 50 75 100 125
Ambient temperature Ta (°C)
Fig.6 Average rectified current vs. Ambient temperature
Rev.1.00 Oct 12, 2004 page 4 of 5
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
다운로드 | [ RJJ03G0292_HRV103A.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
RJJ03G0292_HRV103A | Silicon Schottky Barrier Diode | ETC |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |