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부품번호 | PBSS4230T 기능 |
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기능 | NPN low VCEsat (BISS) transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
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전체 7 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D088
PBSS4230T
30 V, 2 A
NPN low VCEsat (BISS) transistor
Product specification
2003 Sep 29
Philips Semiconductors
30 V, 2 A
NPN low VCEsat (BISS) transistor
Product specification
PBSS4230T
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
ICBO collector-base cut-off current
IEBO emitter-base cut-off current
hFE DC current gain
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
RCEsat
VBEsat
VBEon
fT
Cc
equivalent on-resistance
base-emitter saturation voltage
base-emitter turn-on voltage
transition frequency
collector capacitance
CONDITIONS
VCB = 30 V; IE = 0
VCB = 30 V; IE = 0; Tj = 150 °C
VEB = 4 V; IC = 0
VCE = 2 V; IC = 100 mA
VCE = 2 V; IC = 500 mA
VCE = 2 V; IC = 1 A
VCE = 2 V; IC = 2 A
IC = 100 mA; IB = 1 mA
IC = 500 mA; IB = 50 mA
IC = 750 mA; IB = 15 mA
IC = 1 A; IB = 50 mA; note 1
IC = 2 A; IB = 200 mA; note 1
IC = 500 mA; IB = 50 mA; note 1
IC = 2 A; IB = 200 mA; note 1
VCE = 2 V; IC = 100 mA
IC = 100 mA; VCE = 10 V;
f = 100 MHz
VCB = 10 V; IE = Ie = 0; f = 1 MHz
MIN.
−
−
−
350
300
300
150
−
−
−
−
−
−
−
−
100
−
TYP.
−
−
−
470
450
420
250
45
70
120
130
240
140
−
−
230
15
MAX. UNIT
100 nA
50 µA
100 nA
−
−
−
−
70 mV
100 mV
180 mV
180 mV
320 mV
200 mΩ
1.1 V
0.75 V
− MHz
20 pF
Note
1. Pulse test: tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0.02.
2003 Sep 29
4
4페이지 Philips Semiconductors – a worldwide company
Contact information
For additional information please visit http://www.semiconductors.philips.com. Fax: +31 40 27 24825
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003
SCA75
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Printed in The Netherlands
R75/01/pp7
Date of release: 2003 Sep 29
Document order number: 9397 750 11898
7페이지 | |||
구 성 | 총 7 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PBSS4230PAN | NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor | NXP Semiconductors |
PBSS4230PANP | NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor | NXP Semiconductors |
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