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부품번호 | QM10HA-HB 기능 |
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기능 | MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | ||
제조업체 | Mitsubishi Electric Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
QM10HA-HB
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM10HA-HB
MEDIUM POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
• IC Collector current .......................... 10A
• VCEX Collector-emitter voltage ........... 600V
• hFE DC current gain............................. 250
• Insulated Type
• UL Recognized
Yellow Card No. E80276 (N)
File No. E80271
APPLICATION
AC motor controllers, UPS, CVCF, DC motor controllers, Welders, NC equipment
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
φ1.7
φ2.4
A
φ2.4
φ1.7
φ1.3
φ2.0
3.2 9.0MAX.
B
24.0MAX.
R2.1±0.05
3.7 7.0
φ4.2±0.1
B
C
6.35
4.75
6.35
0.8
E
4.75
0.4 4.2 0.4
24.0MAX.
Fig. A
Fig. B
Feb.1999
SWITCHING TIME VS. BASE
CURRENT (TYPICAL)
10 2
7
5
3
2
10 1
7
5
3
2
10 0
7
5
3
2
10–1
10–1
VCC=300V
IB1=60mA
IC=10A
Tj=25°C
Tj=125°C
ts
tf
2 3 4 5 7 100 2 3 4 5 7 101
BASE REVERSE CURRENT –IB2 (A)
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
10 2
7
5
3 100µs 50µs
2
10 1 200µs
7
5
1ms
500ms
3 DC
2
10 0
7
5
3
2
TC=25°C
NON–REPETITIVE
10–1
10 0 2 3 5 7 10 1 2 3
5 7 10 2 2 3
5 7 10 3
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTIC (TRANSISTOR)
10 0 2 3 5 710 1 2 3 5 710 2
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10–3 2 3 5 710–2 2 3 5 7 10–1 2 3 5 7 10 0
TIME (s)
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM10HA-HB
MEDIUM POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA
20
Tj=125°C
IB2=–0.5A
16
IB2=–2.0A
12
8
4
0
0 200 400 600 800
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
DERATING FACTOR OF F. B. S. O. A.
100
SECOND
90 BREAKDOWN
AREA
80
70
60
50 COLLECTOR
40 DISSIPATION
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
CASE TEMPERATURE TC (°C)
REVERSE COLLECTOR CURRENT VS.
COLLECTOR-EMITTER REVERSE
VOLTAGE (DIODE FORWARD
CHARACTERISTICS) (TYPICAL)
10 2
7
5
4
3
2
10 1
7
5
4
3
2 Tj=25°C
Tj=125°C
10 0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
COLLECTOR-EMITTER REVERSE VOLTAGE
–VCEO (V)
Feb.1999
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QM10HA-HB | MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | Mitsubishi Electric Semiconductor |
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