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부품번호 | QM150DY-H 기능 |
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기능 | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | ||
제조업체 | Mitsubishi Electric Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
QM150DY-HK
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM150DY-HK
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
• IC Collector current ........................ 150A
• VCEX Collector-emitter voltage ........... 600V
• hFE DC current gain............................... 75
• Insulated Type
• UL Recognized
Yellow Card No. E80276 (N)
File No. E80271
APPLICATION
Inverters, Servo drives, DC motor controllers, NC equipment, Welders
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
4–φ5.5
18.8
94
23 23
17.5 1.3
E2
C2E1
C1
80±0.25
3–M5 (12) (12) (12)
LABEL
9.5 20.5
Tab#110, t=0.5
B2X
C2E1
B1X
E2
B2
E2
C1
E1
B1
Feb.1999
SWITCHING TIME VS. BASE
CURRENT (TYPICAL)
2
101 ts
7
5
4
3
2
VCC=300V
10 0
IC=150A
IB1=3A
tf
7
5
4
3
2
10 –1
Tj=25°C
Tj=125°C
2 3 4 5 7 100
2 3 4 5 7 101
BASE REVERSE CURRENT –IB2 (A)
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
10 3
7 tw=50µS
5 100µS
3
2
10 2
1m500µS
S
7
5
3
2
10 1
7
5
3
2
TC=25°C
NON–REPETITIVE
10 0
10 0 2 3 4 5 7 10 1 2 3 4 5 7 10 2 2 3 4 5 7 10 3
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTIC (TRANSISTOR)
10 0 2 3 4 5 710 1 2 3 4
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0
10 –3 2 3 4 5 710 –2 2 3 4 5 710 –12 3 4 5 7 10 0
TIME (s)
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM150DY-HK
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA
400
Tj=125°C
300
IB2=–2A
200 IB2=–5A
100
0
0 200 400 600 800
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
DERATING FACTOR OF F. B. S. O. A.
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
SECOND
BREAKDOWN
AREA
COLLECTOR
DISSIPATION
20 40 60 80 100 120 140 160
CASE TEMPERATURE TC (°C)
REVERSE COLLECTOR CURRENT VS.
COLLECTOR-EMITTER REVERSE
VOLTAGE (DIODE FORWARD
10 3 CHARACTERISTICS) (TYPICAL)
7
5
3
2
10 2
7
5
3
2
10 1
7
5
3
2
10 0
0
Tj=25°C
Tj=125°C
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
COLLECTOR-EMITTER REVERSE VOLTAGE
–VCEO (V)
Feb.1999
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
QM150DY-24BK | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | Mitsubishi Electric Semiconductor |
QM150DY-24K | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | Mitsubishi Electric Semiconductor |
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