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부품번호 | QM20TD-HB 기능 |
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기능 | MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | ||
제조업체 | Mitsubishi Electric Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
QM20TD-HB
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM20TD-HB
MEDIUM POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
• IC Collector current .......................... 20A
• VCEX Collector-emitter voltage ........... 600V
• hFE DC current gain............................. 250
• Insulated Type
• UL Recognized
Yellow Card No. E80276 (N)
File No. E80271
APPLICATION
Inverters, Servo drives, DC motor controllers, NC equipment, Welders
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
(30.5) 7 15 7 15 7 (23.5)
11 25.5
25.5
2
φ5.5
Fig. 1
4
φ1.2 2.8
Fig. 2
8.0
6.35 φ1.65
76
93
105
Tab#250, t=0.8(Fig. 2)
Tab#110, t=0.5(Fig. 1)
LABEL
P
BuP
EuP
u
BuN
EuN
N
BvP BwP
EvP EwP
vw
BvN BwN
EvN EwN
Note: All Transistor Units are Darlingtons.
Feb.1999
SWITCHING TIME VS. BASE
CURRENT (TYPICAL)
3
2
VCC=300V
IB1=120mA
IC=20A
101 Tj=25°C
7 Tj=125°C
5
4
ts
3
2
10 0
7
5
4
3
10 –1
2 3 4 5 7 100
tf
2 3 4 5 7 101
BASE REVERSE CURRENT –IB2 (A)
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
10 2
7
5
100µs
3
2
10 1
7
5
3
2
10 0
7
5
3
2
TC=25°C
NON–REPETITIVE
10 –1
10 0 2 3 4 5 7 10 1 2 3 4 5 7 10 2 2 3 4 5 7 10 3
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTIC (TRANSISTOR)
10 0 2 3 4 5 710 1
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10 –3 2 3 4 5 710 –2 2 3 4 5 710 –1 2 3 4 5 7 10 0
TIME (s)
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM20TD-HB
MEDIUM POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA
50
Tj=125°C
40
30
IB2=–0.5A
IB2=–3A
20
10
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
DERATING FACTOR OF F. B. S. O. A.
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
SECOND
BREAKDOWN
AREA
COLLECTOR
DISSIPATION
20 40 60 80 100 120 140 160
CASE TEMPERATURE TC (°C)
REVERSE COLLECTOR CURRENT VS.
COLLECTOR-EMITTER REVERSE
VOLTAGE (DIODE FORWARD
CHARACTERISTICS) (TYPICAL)
10 2
7
5
4
3
2
10 1
7
5
4
3
2 Tj=25°C
Tj=125°C
10 0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
COLLECTOR-EMITTER REVERSE VOLTAGE
–VCEO (V)
Feb.1999
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