Datasheet.kr   

QM20TD-HB 데이터시트 PDF




Mitsubishi Electric Semiconductor에서 제조한 전자 부품 QM20TD-HB은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 QM20TD-HB 자료 제공

부품번호 QM20TD-HB 기능
기능 MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
제조업체 Mitsubishi Electric Semiconductor
로고 Mitsubishi Electric Semiconductor 로고


QM20TD-HB 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

QM20TD-HB 데이터시트, 핀배열, 회로
QM20TD-HB
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM20TD-HB
MEDIUM POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
IC Collector current .......................... 20A
VCEX Collector-emitter voltage ........... 600V
hFE DC current gain............................. 250
Insulated Type
UL Recognized
Yellow Card No. E80276 (N)
File No. E80271
APPLICATION
Inverters, Servo drives, DC motor controllers, NC equipment, Welders
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
(30.5) 7 15 7 15 7 (23.5)
11 25.5
25.5
2
φ5.5
Fig. 1
4
φ1.2 2.8
Fig. 2
8.0
6.35 φ1.65
76
93
105
Tab#250, t=0.8(Fig. 2)
Tab#110, t=0.5(Fig. 1)
LABEL
P
BuP
EuP
u
BuN
EuN
N
BvP BwP
EvP EwP
vw
BvN BwN
EvN EwN
Note: All Transistor Units are Darlingtons.
Feb.1999




QM20TD-HB pdf, 반도체, 판매, 대치품
SWITCHING TIME VS. BASE
CURRENT (TYPICAL)
3
2
VCC=300V
IB1=120mA
IC=20A
101 Tj=25°C
7 Tj=125°C
5
4
ts
3
2
10 0
7
5
4
3
10 –1
2 3 4 5 7 100
tf
2 3 4 5 7 101
BASE REVERSE CURRENT –IB2 (A)
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
10 2
7
5
100µs
3
2
10 1
7
5
3
2
10 0
7
5
3
2
TC=25°C
NON–REPETITIVE
10 –1
10 0 2 3 4 5 7 10 1 2 3 4 5 7 10 2 2 3 4 5 7 10 3
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTIC (TRANSISTOR)
10 0 2 3 4 5 710 1
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10 –3 2 3 4 5 710 –2 2 3 4 5 710 –1 2 3 4 5 7 10 0
TIME (s)
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM20TD-HB
MEDIUM POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA
50
Tj=125°C
40
30
IB2=–0.5A
IB2=–3A
20
10
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
DERATING FACTOR OF F. B. S. O. A.
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
SECOND
BREAKDOWN
AREA
COLLECTOR
DISSIPATION
20 40 60 80 100 120 140 160
CASE TEMPERATURE TC (°C)
REVERSE COLLECTOR CURRENT VS.
COLLECTOR-EMITTER REVERSE
VOLTAGE (DIODE FORWARD
CHARACTERISTICS) (TYPICAL)
10 2
7
5
4
3
2
10 1
7
5
4
3
2 Tj=25°C
Tj=125°C
10 0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
COLLECTOR-EMITTER REVERSE VOLTAGE
–VCEO (V)
Feb.1999

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ QM20TD-HB.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
QM20TD-H

MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

Mitsubishi Electric Semiconductor
Mitsubishi Electric Semiconductor
QM20TD-HB

MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

Mitsubishi Electric Semiconductor
Mitsubishi Electric Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵