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부품번호 | QM20TG-9B 기능 |
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기능 | MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | ||
제조업체 | Mitsubishi Electric Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
QM20TG-9B
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM20TG-9B
MEDIUM POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
• IC Collector current .......................... 20A
• VCEX Collector-emitter voltage ........... 500V
• hFE DC current gain............................. 250
• Insulated Type
APPLICATION
Air conditioner, Small to medium size inverters
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
88
8 8 8 8 8 16.5
BuP EuP BvP EvP BwP EwP
P
2–φ5.4
N U VW
BuN BvN BwN E(–)
16 16 16 16.5
76 6
64
2–R6
LABEL
Tab#250,
t=0.8
Tab#110,
t=0.5
6.5
P
BuP
EuP
U
BuN
N
BvP
EvP
V
BvN
BwP
EwP
W
BwN
E(–)
Feb.1999
SWITCHING TIME VS. BASE
CURRENT (TYPICAL)
10 1
7
5
4
3
2 ts
10 0
7
5
4 VCC=250V
3 IC=20A
2 IB1=120mA
Tj=25°C
10–1
Tj=125°C
10–1 2 3 4 5 7 100
tf
2 3 4 5 7 101
BASE REVERSE CURRENT –IB2 (A)
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
10 2
7 100µs
5
3
2
10 1
DC 1ms
7
5
3
2
10 0
7
5
3
2
TC=25°C
10 –1 NON-REPETITIVE
10 0 2 3 4 5 710 1 2 3 4 5 7 10 2 2 3 4 5 7 10 3
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTIC (TRANSISTOR)
10 0 2 3 5 710 1
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10 –3 2 3 5 710 –2 2 3 5 710 –12 3 5 7 10 0
TIME (s)
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM20TG-9B
MEDIUM POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA
50
Tj=125°C
40
IB2=–3A
30
20
10
0
0 100 200 300 400 500
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
DERATING FACTOR OF F. B. S. O. A.
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
SECOND
BREAKDOWN
AREA
COLLECTOR
DISSIPATION
20 40 60 80 100 120 140 160
CASE TEMPERATURE TC (°C)
REVERSE COLLECTOR CURRENT VS.
COLLECTOR-EMITTER REVERSE
VOLTAGE (DIODE FORWARD
CHARACTERISTICS) (TYPICAL)
10 2
7
Tj=25°C
Tj=125°C
5
4
3
2
10 1
7
5
4
3
2
10 0
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
COLLECTOR-EMITTER REVERSE VOLTAGE
–VCEO (V)
Feb.1999
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QM20TG-9B | MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | Mitsubishi Electric Semiconductor |
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