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부품번호 | QM300HC-M 기능 |
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기능 | HIGH POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE | ||
제조업체 | Mitsubishi Electric Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
QM300HC-M
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM300HC-M
HIGH POWER SWITCHING USE
NON-INSULATED TYPE
• IC Collector current ........................ 300A
• VCEX Collector-emitter voltage ........... 350V
• hFE DC current gain............................. 100
• Non-Insulated Type
APPLICATION
Robotics, Welders, Forklifts, Golf cart
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
94
80
EB
E
φ5.5
8
BX 16
12 12 22
25
M4 64 M6
LABEL
C
B
E
BX E
Feb.1999
SWITCHING TIME VS. BASE
CURRENT (TYPICAL)
2
10 1
7 ts
5
4
3
2
10 0 tf
7
5
4
3
2
VCC=200V
IC=300A
IB1=6A
3 4 5 7 100
Tj=25°C
Tj=125°C
2 3 4 5 7 101
23
BASE REVERSE CURRENT –IB2 (A)
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
10 3
7 tw=50µs
5
3 100µs
2
10 2
7
5
3
2
10 1
7
5
3
2 TC =25°C
10 0 NON–REPETITIVE
10 0 2 3 4 5 7 10 1 2 3 4 5 7 10 2 2 3 4 5 710 3
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTIC (TRANSISTOR)
10 0 2 3 45 7 10 1
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
10 –3 2 3 45 710 –2 2 3 4 5 710 –1 2 3 4 5 7 10 0
TIME (s)
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM300HC-M
HIGH POWER SWITCHING USE
NON-INSULATED TYPE
REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA
800
Tj=125°C
700
600
500
400 IB2=–6A
300
200
100
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
DERATING FACTOR OF F. B. S. O. A.
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
SECOND
BREAKDOWN
AREA
COLLECTOR
DISSIPATION
20 40 60 80 100 120 140 160
CASE TEMPERATURE TC (°C)
REVERSE COLLECTOR CURRENT VS.
COLLECTOR-EMITTER REVERSE
VOLTAGE (DIODE FORWARD
CHARACTERISTICS) (TYPICAL)
10 3
7
5
3
2
10 2
7
5
3
2
10 1
7
5
3 Tj=25°C
2 Tj=125°C
10 0
0.2 0.6 1.0 1.4 1.8 2.2
COLLECTOR-EMITTER REVERSE VOLTAGE
–VCEO (V)
Feb.1999
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
QM300HC-M | HIGH POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE | Mitsubishi Electric Semiconductor |
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