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부품번호 | QM50E2Y 기능 |
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기능 | MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | ||
제조업체 | Mitsubishi Electric Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
QM50E2Y/E3Y-H
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM50E2Y/E3Y-H
MEDIUM POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
• IC Collector current .......................... 50A
• VCEX Collector-emitter voltage ........... 600V
• hFE DC current gain............................... 75
• Insulated Type
• UL Recognized
Yellow Card No. E80276 (N)
File No. E80271
APPLICATION
DC chopper, DC motor controllers, Inverters
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
94 (E2Y)
(7) 80 (7)
E1 A1
C1
20 20
27
D2
φ6.5
D1
E1
B1
12
M5
LABEL
Tab#110,
t=0.5
(E3Y)
C1
D2
D1
E1
B1
E1
K1
E1
B1
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE (TYPICAL)
5
Tj=25°C
Tj=125°C
4
3
2
1
IC=20A
IC=30A IC=50A
0
10–2 2 3 4 5 7 10–1 2 3 4 5 7 10 0
BASE CURRENT IB (A)
SWITCHING TIME VS. BASE
CURRENT (TYPICAL)
3
2
ts
10 1
7 VCC=300V
5 IB1=1A
4 IC=50A
3
2
tf
10 0
7
5
4
3
10 –1
Tj=25°C
Tj=125°C
2 3 4 5 7 100
2 3 4 5 7 101
BASE REVERSE CURRENT –IB2 (A)
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
10 2
7
5
10ms 500µ1s00µs
3
2
10 1
7
5
3
2
10 0
7
5
3
2
TC=25°C
NON-REPETITIVE
10 –1
10 0 2 3 4 5 7 10 1 2 3 4 5 7 10 2 2 3 4 5 7 10 3
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM50E2Y/E3Y-H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
SWITCHING TIME VS. COLLECTOR
CURRENT (TYPICAL)
2
10 1
7
5
4
3 VCC=300V
IB1=–IB2=1A
2
10 0
7
5
4
3
2
10 0
Tj=25°C
Tj=125°C
2 3 4 5 7 101
ts
ton
tf
2 3 4 5 7 102
COLLECTOR CURRENT IC (A)
REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA
160
Tj=125°C
140
120 IB2=–1A
100 –3A
80 –5A
60
40
20
0
0 200 400 600 800
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
DERATING FACTOR OF F. B. S. O. A.
100
SECOND BREAK-
90 DOWN AREA
80
70
60
50 COLLECTOR
40 DISSIPATION
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
CASE TEMPERATURE TC (°C)
Feb.1999
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
QM50E2Y | MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | Mitsubishi Electric Semiconductor |
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