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QRE1113.GR 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 QRE1113.GR은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 QRE1113.GR 자료 제공

부품번호 QRE1113.GR 기능
기능 REFLECTIVE OBJECT SENSOR
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


QRE1113.GR 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 5 페이지수

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QRE1113.GR 데이터시트, 핀배열, 회로
REFLECTIVE OBJECT SENSOR
PACKAGE DIMENSIONS
0.114 (2.90)
0.099 (2.50)
4
0.024 (0.60)
0.016 (0.40)
3
0.079 (2.0)
0.063 (1.60)
0.130 (3.30)
0.122 (3.10)
1
0.063 (1.60)
0.055 (1.40)
2
30°
0.024 (0.61)
NOM (4X)
0.193 (4.90)
0.177 (4.50)
0.043 (1.10)
0.035 (0.90)
PIN 1 ANODE
PIN 2 CATHODE
PIN 3 COLLECTOR
PIN 4 EMITTER
NOTES:
1. Dimensions for all drawings are in inches (millimeters).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non-nominal dimensions
FEATURES
• Phototransistor output
• Tape and reel packaging
• No contact surface sensing
• Miniature package
• Lead form style: Gull Wing
QRE1113.GR
SCHEMATIC
12
34
© 2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Page 1 of 5
12/9/02




QRE1113.GR pdf, 반도체, 판매, 대치품
REFLECTIVE OBJECT SENSOR
QRE1113.GR
Fig. 5 Forward Current vs. Forward Voltage
50
TA = 25˚C
40
30
20
10
0
1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
VF - FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 6 Rise and Fall Time vs. Load Resistance
100
VCC = 10 V
tpw = 100 us
T=1ms
TA = 25˚C
tf IC = 0.3 mA
tr
10
tf
IC = 1 mA
tr
1
0.1 1 10
RL - LOAD RESISTANCE (K)
Fig. 7 Forward Voltage vs. Ambient Temperature
3.0
2.5
2.0
IF = 50 mA
1.5
IF = 20 mA
1.0 IF = 10 mA
0.5
0.0
-40
-20 0
20 40 60
TA - AMBIENT TEMPERATURE (˚C)
80
© 2002 Fairchild Semiconductor Corporation
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4페이지












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