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QS6M4 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 QS6M4은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 QS6M4 자료 제공

부품번호 QS6M4 기능
기능 Small switching
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


QS6M4 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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QS6M4 데이터시트, 핀배열, 회로
Transistors
Small switching
QS6M4
QS6M4
zFeatures
1) The QS6M4 combines Pch Trench MOSFET with a
Nch Trench MOSFET in a single TSMT6 package.
2) Pch Trench MOSFET and Nch Trench MOSFET
have a low on-state resistance with a fast switching.
3) Pch Trench MOSFET is neucted a low voltage drive
(2.5V).
zApplications
Load switch, inverter
zExternal dimensions (Unit : mm)
TSMT6
1pin mark
2.8
1.6
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : M04
zStructure
Silicon P-channel MOS FET
Silicon N-channel MOS FET
zPackaging specifications
Package
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
QS6M4
Taping
TR
3000
zEquivalent circuit
(6) (5) (4)
1
2 2
1
(1) (2) (3)
1 ESD PROTECTION DIODE
2 BODY DIODE
(1) Tr1 (Nch) Source
(2) Tr1 (Nch) Gate
(3) Tr2 (Pch) Drain
(4) Tr2 (Pch) Source
(5) Tr2 (Pch) Gate
(6) Tr1 (Nch) Drain
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Continuous
Pulsed
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Total power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Pw10µs, Duty cycle1%
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
IS
ISP
PD
Tch
Tstg
Limits
Nchannel Pchannel
30 20
12 12
±1.5
±1.5
±6.0
±6.0
0.8 0.75
6.0 6.0
1.25
150
55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
zThermal resistance (Ta=25°C)
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth (ch-a)
Limits
100
Unit
°C / W
1/5




QS6M4 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Transistors
N-ch
zElectrical characteristic curves
1000
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
Ciss
100
Crss
Coss
10
1
0.01 0.1
1
10 100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (A)
Fig.1 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
1000
tf
100
Ta=25°C
VDD=15V
VGS=4.5V
RG=10
Pulsed
td (off)
10 td (on)
tr
1
0.01 0.1 1 10
DRAIN CURRENT : ID (A)
Fig.2 Switching Characteristics
QS6M4
6
Ta=25°C
VDD=15V
5 ID=1.5A
RG=10
Pulsed
4
3
2
1
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.3 Dynamic Input Characteristics
10
1 Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
0.1
VDS=10V
Pulsed
0.01
0.001
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
Fig.4 Typical Transfer Characteristics
1.0
Ta=25°C
0.9 Pulsed
0.8
ID=1.5A
0.7
ID=0.75A
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage
10
Ta=125°C
Ta=75°C
1
Ta=25°C
Ta= −25°C
0.1
VGS=0V
Pulsed
0.01
0.0 0.5 1.0 1.5
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
Fig.6 Source Current vs.
Source-Drain Voltage
10
Ta=125°C
1
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
VGS=4.5V
Pulsed
10
Ta=125°C
1 Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
VGS=4.0V
Pulsed
10
Ta=125°C
1 Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
VGS=2.5V
Pulsed
0.1
0.01
0.1 1
DRAIN CURRENT : ID (A)
10
Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current (Ι)
0.1
0.01
0.1 1
DRAIN CURRENT : ID (A)
10
Fig.8 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current (ΙΙ)
0.1
0.01
0.1 1
DRAIN CURRENT : ID (A)
10
Fig.9 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current (ΙΙΙ)
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