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PBYR2520CT 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PBYR2520CT은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 PBYR2520CT 자료 제공

부품번호 PBYR2520CT 기능
기능 Rectifier diodes schottky barrier
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PBYR2520CT 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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PBYR2520CT 데이터시트, 핀배열, 회로
Philips Semiconductors
Rectifier diodes
schottky barrier
Product specification
PBYR2525CT series
GENERAL DESCRIPTION
Dual nickel silicide schottky barrier
rectifier diodes in a plastic envelope
featuring low forward voltage drop
and absence of stored charge. These
devices can withstand reverse
voltage transients and have
guaranteed reverse surge capability.
The devices are intended for use in
switched mode power supplies with
3 V - 3.3 V outputs, or as or-ing
diodes in fault tolerant power supply
systems.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER
VRRM
VF
IO(AV)
PBYR25-
Repetitive peak reverse
voltage
Forward voltage
Average output current (both
diodes conducting)
MAX.
20CT
20
0.41
30
MAX.
25CT
25
0.41
30
UNIT
V
V
A
PINNING - TO220AB
PIN DESCRIPTION
1 anode 1 (a)
2 cathode (k)
3 anode 2 (a)
tab cathode (k)
PIN CONFIGURATION
tab
1 23
SYMBOL
a1 a2
13
k2
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
VRRM
VRWM
VR
IO(AV)
IO(RMS)
IFRM
IFSM
I2t
IRRM
IRSM
Tstg
Tj
Repetitive peak reverse voltage
Crest working reverse voltage
Continuous reverse voltage
Tmb 109 ˚C
Average output current (both
diodes conducting)
RMS output current (both
diodes conducting)
Repetitive peak forward current
per diode
Non-repetitive peak forward
current, per diode
I2t for fusing
Repetitive peak reverse current
per diode
Non-repetitive peak reverse
current per diode
Storage temperature
Operating junction temperature
square wave; δ = 0.5;
Tmb 135 ˚C
t = 25 µs; δ = 0.5;
Tmb 135 ˚C
t = 10 ms
t = 8.3 ms
sinusoidal Tj = 125 ˚C prior
to surge; with reapplied
VRRM(max)
t = 10 ms
tp = 2 µs; δ = 0.001
tp = 100 µs
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
MAX.
-20 -25
20 25
20 25
20 25
30
43
30
180
200
162
2
2
175
150
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
A
A2s
A
A
˚C
˚C
January 1997
1
Rev 1.000




PBYR2520CT pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Rectifier diodes
schottky barrier
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Product specification
PBYR2525CT series
10,3
max
3,7
2,8
1,3
4,5
max
5,9
min
15,8
max
3,0 max
not tinned
1,3
max 1 2 3
(2x)
3,0
13,5
min
0,9 max (3x)
2,54 2,54
0,6
2,4
Fig.6. TO220AB; pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Refer to mounting instructions for TO220 envelopes.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
January 1997
4
Rev 1.000

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