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PBYR745D 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PBYR745D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 PBYR745D 자료 제공

부품번호 PBYR745D 기능
기능 Rectifier diodes Schottky barrier
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PBYR745D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PBYR745D 데이터시트, 핀배열, 회로
Philips Semiconductors
Rectifier diodes
Schottky barrier
Product specification
PBYR745B, PBYR745D series
FEATURES
• Low forward volt drop
• Fast switching
• Reverse surge capability
• High thermal cycling performance
• Low thermal resistance
SYMBOL
k
tab
QUICK REFERENCE DATA
VR = 40 V/ 45 V
a
3 IF(AV) = 7.5 A
VF 0.57 V
GENERAL DESCRIPTION
Schottky rectifier diodes in a surface mounting plastic envelope. Intended for use as output rectifiers in low voltage,
high frequency switched mode power supplies.
The PBYR745B series is supplied in the SOT404 surface mounting package.
The PBYR745D series is supplied in the SOT428 surface mounting package.
PINNING
SOT404
SOT428
PIN DESCRIPTION
1 no connection
tab
tab
2 cathode1
3 anode
22
tab cathode
13
13
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
VRRM
VRWM
VR
Peak repetitive reverse
voltage
Working peak reverse
voltage
Continuous reverse voltage
Tmb 114 ˚C
PBYR7
PBYR7
-
-
-
IF(AV) Average rectified forward square wave; δ = 0.5; Tmb 136 ˚C -
current
IFRM
Repetitive peak forward
square wave; δ = 0.5; Tmb 136 ˚C -
current
IFSM Non-repetitive peak forward t = 10 ms
current
t = 8.3 ms
PBYR7..B
-
-
t = 10 ms
PBYR7..D -
t = 8.3 ms
-
sinusoidal; Tj = 125 ˚C prior to
surge; with reapplied VRRM(max)
IRRM Peak repetitive reverse pulse width and repetition rate
surge current
limited by Tj max
Tj Operating junction
temperature
-
-
Tstg Storage temperature
- 65
1. It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 or SOT428 package.
MAX.
40B 45B
40D 45D
40 45
40 45
40 45
7.5
15
135
150
100
110
1
150
175
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
˚C
˚C
July 1998
1 Rev 1.200




PBYR745D pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Rectifier diodes
Schottky barrier
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 1.4 g
Product specification
PBYR745B, PBYR745D series
10.3 max
4.5 max
1.4 max
11 max
15.4
2.5
0.85 max
(x2)
0.5
2.54 (x2)
Fig.7. SOT404 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
11.5
9.0
17.5
2.0
3.8
5.08
Fig.8. SOT404 : soldering pattern for surface mounting.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
July 1998
4 Rev 1.200

4페이지












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