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PC100-222-620 데이터시트 PDF




Siemens Semiconductor Group에서 제조한 전자 부품 PC100-222-620은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PC100-222-620 자료 제공

부품번호 PC100-222-620 기능
기능 3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module
제조업체 Siemens Semiconductor Group
로고 Siemens Semiconductor Group 로고


PC100-222-620 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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PC100-222-620 데이터시트, 핀배열, 회로
3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module
3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module
168 pin unbuffered DIMM Modules
HYS64/72V2200GU-8/-10
HYS64/72V4220GU-8/-10
168 Pin PC100 and PC66 compatible unbuffered 8 Byte Dual-In-Line SDRAM Modules
for PC main memory applications
1 bank 2M x 64, 2M x 72 and 2 bank 4M x 64, 4M x 72 organisation
Optimized for byte-write non-parity or ECC applications
JEDEC standard Synchronous DRAMs (SDRAM)
Fully PC board layout compatible to INTELs’ Rev. 1.0 module specification
SDRAM Performance:
fCK Clock frequency (max.)
tAC Clock access time
Programmed Latencies :
-8 -8-3 -10
100 100
66
66
8
Units
MHz
ns
Product Speed
-8 PC100
-8-3 PC100
-10 PC66
CL
2
3
2
tRCD
2
2
2
tRP
2
3
2
Single +3.3V(± 0.3V ) power supply
Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence
(Sequential & Interleave)
Auto Refresh (CBR) and Self Refresh
Decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs are LVTTL compatible
Serial Presence Detect with E2PROM
Utilizes 2M x 8 SDRAMs in TSOPII-44 packages
4096 refresh cycles every 64 ms
133,35 mm x 31.75 mm x 4,00 mm card size with gold contact pads
Semiconductor Group
1
6.98




PC100-222-620 pdf, 반도체, 판매, 대치품
HYS64(72)V2200/4220GU-8/-10
SDRAM-Modules
WE
CS0
DQMB0
DQ(7:0)
CS WE
DQM
DQ0-DQ7
D0
DQMB4
DQ(39:32)
CS WE
DQM
DQ0-DQ7
D4
DQMB1
DQ(15:8)
CS WE
DQM
DQ0-DQ7
D1
DQMB5
DQ(47:40)
CS WE
DQM
DQ0-DQ7
D5
CB(7:0)
CS2
DQMB2
DQ(23:16)
CS WE
DQM
DQ0-DQ7
D8
CS WE
DQM
DQ0-DQ7
D2
DQMB6
DQ(55:48)
CS WE
DQM
DQ0-DQ7
D6
DQMB3
DQ(31:24)
CS WE
DQM
DQ0-DQ7
D3
DQMB7
DQ(63:56)
CS WE
DQM
DQ0-DQ7
D7
A0-A10,BA
D0 - D7,(D8)
E2PROM (256wordx8bit)
VCC
VSS
RAS
D0 - D7,(D8)
C0-C7,(C8)
D0 - D7,(D8)
D0 - D7,(D8)
SA0
SA1
SA2
SCL
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
WP
47k
CAS
D0 - D7,(D8)
CKE0
D0 - D7,(D8)
Note: D8 is only used in the x72 ECC version
Clock Wiring
2M x 64
2M x 72
CLK0 4 SDRAM+3.3pF 5 SDRAM
CLK1 Termination
Termination
CLK2 4 SDRAM+3.3pF 4 SDRAM+3.3pF
CLK3 Termination
Termination
Block Diagram for 2M x 64/72 SDRAM DIMM modules (HYS64/72V2200GU)
Semiconductor Group
4

4페이지










PC100-222-620 전자부품, 판매, 대치품
HYS64(72)V2200/4220GU-8/-10
SDRAM-Modules
Standby and Refresh Currents (Ta = 0 to 70oC, VCC = 3.3V ± 0.3V) 1)
Parameter
Symbol
Test Condition
X64 X72
Note
max.
Operating Current
Icc1
Burst length = 4, CL=3
trc>=trc(min.),
tck>=tck(min.), Io=0 mA
2 bank interleave operation
800 900 mA 1,2
Precharged Standby Icc2P CKE<=VIL(max), tck>=tck(min.) 24 27 mA
Current in Power
Down Mode
Icc2PS CKE<=VIL(max), tck=infinite
16 18 mA
Precharged Standby
Current in Non-
power
Down Mode
Icc2N
Icc2NS
CKE>=VIH(min), tck>=tck (min.),
input changed once in 3 cycles
CKE>=VIH(min), tck=infinite,
no input change
160
80
180 mA CS=
High
90 mA
Active Standby
Current in Power
Down Mode
Icc3P CKE<=VIL(max), tck>=tck(min.) 24 27 mA
Icc3PS CKE<=VIL(max), tck=infinite
16 18 mA
Active Standby
Current in Non-
power Down Mode
Icc3N CKE>=VIH(min), tck>=tck (min.) 200 225 mA CS=
input changed one time
High
Icc3NS CKE=>VIH(min),tck=infinite,
no input change
120 135 mA
Burst Operating
Current
Icc4 Burst length = full page,
trc = infinite, CL = 3,
tck>=tck (min.), Io = 0 mA
2 banks activated
Auto (CBR) Refresh
Current
Icc5 trc>=trc(min)
Self Refresh Current Icc6 CKE=<0,2V
760 855 mA 1,2
720 810 mA 1,2
16 18 mA 1,2
Semiconductor Group
7

7페이지


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