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부품번호 | PUMB3 기능 |
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기능 | PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 kohm | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
MBD128
PUMB3
PNP resistor-equipped double
transistor; R1 = 4.7 kΩ
Product specification
2001 Sep 19
Philips Semiconductors
PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 kΩ
Product specification
PUMB3
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
Per transistor
ICBO collector-base cut-off current
ICEO collector-emitter cut-off current
IEBO
hFE
VCEsat
R1
Cc
emitter-base cut-off current
DC current gain
saturation voltage
input resistor
collector capacitance
CONDITIONS
MIN. TYP. MAX. UNIT
VCB = −50 V; IE = 0
VCE = −30 V; IB = 0
VCE = −30 V; IB = 0; Tj = 150 °C
VEB = −5 V; IC = 0
VCE = −5 V; IC = −1 mA
IC = −5 mA; IB = −0.25 mA
IE = ie = 0; VCB = −10 V;
f = 1 MHz
−
−
−
−
200
−
3.3
−
−
−
−
−
−
−
4.7
−
−100
−1
−50
−100
−
−100
6.1
3
nA
µA
µA
nA
mV
kΩ
pF
103
handbook, halfpage
hFE
102
MHB969
(1)
(2)
(3)
10
−10−1
−1
−10 −102
IC (mA)
VCE = −5 V.
(1) Tamb = 100 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = −40 °C.
Fig.3 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
−103
handbook, halfpage
VCEsat
(mV)
MHB968
−102
(1)
(2)
(3)
−10
−10−1
−1
−10 −102
IC (mA)
IC/IB = 20.
(1) Tamb = 100 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = −40 °C.
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
2001 Sep 19
4
4페이지 Philips Semiconductors
PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 kΩ
NOTES
Product specification
PUMB3
2001 Sep 19
7
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PUMB11 | PNP resistor-equipped double transistor | NXP Semiconductors |
PUMB13 | PNP/PNP resistor-equipped transistors R1=4.7k-ohm R2=47k-ohm | NXP Semiconductors |
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