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PUMB3 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PUMB3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 PUMB3 자료 제공

부품번호 PUMB3 기능
기능 PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 kohm
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PUMB3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PUMB3 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
MBD128
PUMB3
PNP resistor-equipped double
transistor; R1 = 4.7 k
Product specification
2001 Sep 19




PUMB3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 k
Product specification
PUMB3
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
Per transistor
ICBO collector-base cut-off current
ICEO collector-emitter cut-off current
IEBO
hFE
VCEsat
R1
Cc
emitter-base cut-off current
DC current gain
saturation voltage
input resistor
collector capacitance
CONDITIONS
MIN. TYP. MAX. UNIT
VCB = 50 V; IE = 0
VCE = 30 V; IB = 0
VCE = 30 V; IB = 0; Tj = 150 °C
VEB = 5 V; IC = 0
VCE = 5 V; IC = 1 mA
IC = 5 mA; IB = 0.25 mA
IE = ie = 0; VCB = 10 V;
f = 1 MHz
200
3.3
4.7
100
1
50
100
100
6.1
3
nA
µA
µA
nA
mV
k
pF
103
handbook, halfpage
hFE
102
MHB969
(1)
(2)
(3)
10
101
1
10 102
IC (mA)
VCE = 5 V.
(1) Tamb = 100 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 40 °C.
Fig.3 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
103
handbook, halfpage
VCEsat
(mV)
MHB968
102
(1)
(2)
(3)
10
101
1
10 102
IC (mA)
IC/IB = 20.
(1) Tamb = 100 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 40 °C.
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
2001 Sep 19
4

4페이지










PUMB3 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 k
NOTES
Product specification
PUMB3
2001 Sep 19
7

7페이지


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