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Q60215-Y62 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 Q60215-Y62
기능 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
제조업체 Siemens Semiconductor Group
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Q60215-Y62 데이터시트, 핀배열, 회로
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
BPY 62
BPY 62
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
Features
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm
q Hohe Linearität
q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C
q Gruppiert lieferbar
q Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm
q High linearity
q Hermetically sealed metal package (TO-18)
with base connection suitable up to 125 °C
q Available in groups
Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Applications
q Photointerrupters
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Typ
Type
BPY 62
BPY 62-2
BPY 62-3
BPY 62-4
BPY 62-51)
Bestellnummer
Ordering Code
Q60215-Y62
Q60215-Y1111
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q62702-P1113
1) Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.
Semiconductor Group
238
10.95




Q60215-Y62 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BPY 62
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2 -3 -4
-5
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light
A,
VCE = 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 k
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
IC
=
I 1)
PCEmin
×
0.3,
Ee = 0.5 mW/cm2
Stromverstärkung
Current gain
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
IPCE
IPCE
tr, tf
VCEsat
IPCE
IPCB
0.5 ... 1.0 0.8 ... 1.6 1.25 ... 2.5 2.0 mA
3.0 4.6 7.2
11.4 mA
579
12 µs
150 150 160
180 mV
170 270 420
670
1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Semiconductor Group
241

4페이지













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