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BTB06-600TWRG 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 BTB06-600TWRG은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BTB06-600TWRG 자료 제공

부품번호 BTB06-600TWRG 기능
기능 SNUBBERLESS/ LOGIC LEVEL & STANDARD
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


BTB06-600TWRG 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BTB06-600TWRG 데이터시트, 핀배열, 회로
®
SNUBBERLESS™, LOGIC LEVEL & STANDARD
BTA/BTB06 Series
6A TRIACS
MAIN FEATURES:
Symbol
Value
Unit
IT(RMS)
6A
VDRM/VRRM
600 and 800
V
IG (Q1)
5 to 50
mA
DESCRIPTION
Suitable for AC switching operations, the BTA/
BTB06 series can be used as an ON/OFF function
in applications such as static relays, heating
regulation, induction motor starting circuits... or for
phase control in light dimmers, motor speed
controllers,...
The snubberless and logic level versions (BTA/
BTB...W) are specially recommended for use on
inductive loads, thanks to their high commutation
performances. By using an internal ceramic pad,
the BTA series provides voltage insulated tab
(rated at 2500V RMS) complying with UL
standards (File ref.: E81734)
A2
G
A1
A2
A1
A2
G
TO-220AB Insulated
(BTA06)
A1
A2
G
TO-220AB
(BTB06)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
IT(RMS)
ITSM
I²t
dI/dt
IGM
PG(AV)
Tstg
Tj
Parameter
RMS on-state current (full sine wave)
Non repetitive surge peak on-state
current (full cycle, Tj initial = 25°C)
I²t Value for fusing
Critical rate of rise of on-state current
IG = 2 x IGT , tr 100 ns
Peak gate current
TO-220AB
Tc = 110°C
TO-220AB Ins.
F = 50 Hz
Tc = 105°C
t = 20 ms
F = 60 Hz
t = 16.7 ms
tp = 10 ms
F = 120 Hz
Tj = 125°C
tp = 20 µs
Tj = 125°C
Average gate power dissipation
Tj = 125°C
Storage junction temperature range
Operating junction temperature range
Value
6
60
63
21
50
4
1
- 40 to + 150
- 40 to + 125
Unit
A
A
A²s
A/µs
A
W
°C
April 2002 - Ed: 5A
1/6




BTB06-600TWRG pdf, 반도체, 판매, 대치품
BTA/BTB06 Series
Fig. 1: Maximum power dissipation versus RMS
on-state current (full cycle).
P (W)
8
7
6
5
4
3
2
1 IT(RMS)(A)
0
0123456
Fig. 3: Relative variation of thermal impedance
versus pulse duration.
K=[Zth/Rth]
1E+0
Zth(j-c)
Fig. 2: RMS on-state current versus case
temperature (full cycle).
IT(RMS) (A)
7
6
5
4
3
2
1
0
0 25
BTB
BTA
Tc(°C)
50 75
100 125
Fig. 4: On-state characteristics (maximum
values).
ITM (A)
100
Tj max.
Vto = 0.85 V
Rd = 60 m
Tj=Tj max
1E-1
Zth(j-a)
10
1E-2
1E-3
1E-2
tp(s)
1E-1 1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
VTM(V)
1
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
Fig. 5: Surge peak on-state current versus
number of cycles.
Fig. 6: Non-repetitive surge peak on-state
current for a sinusoidal pulse with width
tp < 10ms, and corresponding value of I²t.
ITSM (A)
70
60
50
40
30
Repetitive
20 Tc=105°C
10
0
1
Non repetitive
Tj initial=25°C
Number of cycles
10 100
t=20ms
One cycle
ITSM (A), I²t (A²s)
1000
100
dI/dt limitation:
50A/µs
Tj initial=25°C
ITSM
1000
10
0.01
tp (ms)
0.10
1.00
I²t
10.00
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