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부품번호 | BU407 기능 |
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기능 | SILICON EPITAXIAL PLANNAR TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) | ||
제조업체 | Wing Shing Computer Components | ||
로고 | |||
전체 1 페이지수
BU407
SILICON EPITAXIAL PLANNAR TRANSISTOR
GENERAL DESCRIPTION
High frequency, high power transistors in a plastic
envelope, primarily for use in audio and general
purpose
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
VCESM
VCEO
IC
ICM
Ptot
VCEsat
VF
tf
PARAMETER
Collector-emitter voltage peak value
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Total power dissipation
Collector-emitter saturation voltage
Diode forward voltage
Fall time
LIMITING VALUES
SYMBOL
VCESM
VCEO
VEBO
IC
IB
Ptot
Tstg
Tj
PARAMETER
Collector-emitter voltage peak value
Collector-emitter voltage (open base)
Emitter-base oltage (open colloctor)
Collector current (DC)
Base current (DC)
Total power dissipation
Storage temperature
Junction temperature
CONDITIONS
VBE = 0V
TO-220
Tmb 25
IC = 5.0A; IB = 0.5A
IC=5A,-IB(end)=0.5A,VCC=60V
CONDITIONS
VBE = 0V
Tmb 25
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
ICBO
IEBO
V(BR)CEO
VCEsat
hFE
fT
Cc
ton
ts
tf
PARAMETER
Collector-base cut-off current
Emitter-base cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-emitter saturation voltages
DC current gain
Transition frequency at f = 5MHz
Collector capacitance at f = 1MHz
On times
Tum-off storage time
Fall time
CONDITIONS
VCB=400V
VEB=5V
IC=10mA
IC = 5.0A; IB = 0.5A
IC = 2.0A; VCE = 5V
IC = 0.5A; VCE = 10V
VCB = 10V
IC=5A,-IB(end)=0.5A,VCC=60V
IC=5A,-IB(end)=0.5A,VCC=60V
IC=5A,-IB(end)=0.5A,VCC=60V
MIN MAX UNIT
330 V
150 V
7A
15 A
60 W
1.0 V
V
0.75 s
MIN MAX UNIT
- 330 V
- 150 V
5V
- 7A
- 4A
- 60 W
-55 150
- 150
MIN MAX UNIT
5.0 mA
1.0 mA
150 V
1.0 V
30
10 MHz
pF
us
us
0.75 us
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.
Homepage: http://www.wingshing.com
Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153
E-mail: [email protected]
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BU4001B | Quad 2-input NOR gate | ROHM Semiconductor |
BU4001BF | Quad 2-input NOR gate | ROHM Semiconductor |
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