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BU4507DX 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BU4507DX은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BU4507DX 자료 제공

부품번호 BU4507DX 기능
기능 Silicon Diffused Power Transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BU4507DX 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BU4507DX 데이터시트, 핀배열, 회로
Philips Semiconductors
Silicon Diffused Power Transistor
Product specification
BU4507DX
GENERAL DESCRIPTION
Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack
envelope with an integrated damper diode intended for use in horizontal deflection circuits of colour television
receivers and computer monitors. Features exceptional tolerance to base drive and collector current load variations
resulting in a very low worst case dissipation.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
VCESM
VCEO
IC
ICM
Ptot
VCEsat
ICsat
VF
tf
PARAMETER
Collector-emitter voltage peak value
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Total power dissipation
Collector-emitter saturation voltage
Collector saturation current
Diode forward voltage
Fall time
CONDITIONS
VBE = 0 V
Ths 25 ˚C
IC = 4 A; IB = 1.0 A
f = 16kHz
IF = 4 A
ICsat = 4 A; f = 16kHz
TYP.
-
-
-
-
-
-
4
1.7
300
MAX.
1500
800
8
15
45
3.0
-
2.1
400
UNIT
V
V
A
A
W
V
A
V
ns
PINNING - SOT399
PIN DESCRIPTION
1 base
2 collector
3 emitter
case isolated
PIN CONFIGURATION
case
123
SYMBOL
c
b
Rbe
e
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
VCESM
VCEO
IC
ICM
IB
IBM
-IBM
Ptot
Tstg
Tj
Collector-emitter voltage peak value
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Base current (DC)
Base current peak value
Reverse base current peak value 1
Total power dissipation
Storage temperature
Junction temperature
VBE = 0 V
Ths 25 ˚C
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
Rth j-hs
Rth j-a
PARAMETER
Junction to heatsink
Junction to ambient
CONDITIONS
with heatsink compound
in free air
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
MAX.
1500
800
8
15
4
6
5
45
150
150
UNIT
V
V
A
A
A
A
A
W
˚C
˚C
TYP.
-
35
MAX.
2.8
-
UNIT
K/W
K/W
1 Turn-off current.
January 1999
1
Rev 1.000




BU4507DX pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Silicon Diffused Power Transistor
10
Ths = 25 C
Ths = 85 C
1
0.1
BU4507DF/X/Z
IC/IB = 5
0.01
0.1 1 10 100
Fig.7. Typical collector-emitter saturation voltage.
VBESAT \ V
1.2
1.1
BU4507DF/X/Z
Ths = 25 C
Ths = 85 C
1
0.9
IC = 4 A
0.8
0.7
0.6
0 1 2 3 IB / A 4
Fig.8. Typical base-emitter saturation voltage.
ts/tf/ us
10
8
BU4507D ts/tf
ICsat = 4 A
Ths = 85 C
Freq = 16 kHz
6
4
2
0
0
Fig.9.
0.5 1 1.5 2 2.5 3
IB / A
Typical collector storage and fall time.
IC =4 A; Tj = 85˚C; f = 16kHz
Product specification
BU4507DX
120 PD%
110
Normalised Power Derating
with heatsink compound
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140
Ths / C
Fig.10. Normalised power dissipation.
PD% = 100PD/PD 25˚C
Zth K/W
10
BU4507AF
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
PD tp
D
=
tp
T
0
0.001
1.0E-07
1.0E-05
1.0E-03
t/s
T
1.0E-01
t
1.0E+01
Fig.11. Transient thermal impedance.
January 1999
4
Rev 1.000

4페이지












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