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부품번호 | BU505DF 기능 |
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기능 | Silicon diffused power transistors | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
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전체 12 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BU505F; BU505DF
Silicon diffused power transistors
Product specification
Supersedes data of December 1991
File under Discrete Semiconductors, SC06
1997 Aug 13
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BU505F; BU505DF
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCEOsust collector-emitter sustaining voltage IC = 0.1 A; IB = 0; L = 25 mH;
see Figs 6 and 7
VCEsat
collector-emitter saturation voltage IC = 2 A; IB = 900 mA;
see Fig.8
VBEsat
base-emitter saturation voltage
IC = 2 A; IB = 900 mA;
see Fig.9
VF diode forward voltage (BU505DF) IF = 2 A
ICES
collector-emitter cut-off current
VCE = VCESmax; VBE = 0;
note 1
IEBO emitter-base cut-off current
hFE DC current gain
fT transition frequency
VCE = VCESmax; VBE = 0;
Tj = 125 °C; note 1
VEB = 5 V; IC = 0
see Fig.3
VCE = 5 V; IC = 2 A
VCE = 5 V; IC = 100 mA
VCE = 5 V; IC = 100 mA;
f = 1 MHz
Cc collector capacitance
VCB = 10 V; IE = ie = 0;
f = 1 MHz
MIN.
700
−
−
−
−
−
−
2.22
6
−
−
Switching times in horizontal deflection circuit (see Fig.4)
ts storage time
tf fall time
ICM = 2 A; IB(end) = 900 mA;
Vdr = −4 V
LB = 10 µH
LB = 15 µH
LB = 25 µH
ICM = 2 A; IB(end) = 900 mA;
Vdr = −4 V
LB = 10 µH
LB = 15 µH
LB = 25 µH
−
−
−
−
−
−
Note
1. Measured with a half-sinewave voltage (curve tracer).
TYP.
−
−
−
−
−
−
−
−
13
7
65
6.5
7.5
9.5
0.9
0.9
0.85
MAX. UNIT
−V
1V
1.3 V
1.8 V
0.15 mA
1 mA
1 mA
−
30
− MHz
− pF
− µs
− µs
− µs
− µs
− µs
− µs
1997 Aug 13
4
4페이지 Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BU505F; BU505DF
handbook, halfpage
+ 50 V
100 to 200 Ω
L
horizontal
oscilloscope
vertical
6V
30 to 60 Hz
300 Ω
1Ω
MGE252
handbookI,Chalfpage
(mA)
250
200
100
0
MGE239
min VCE (V)
VCEOsust
Fig.6 Test circuit for collector-emitter
sustaining voltage.
Fig.7 Oscilloscope display for collector-emitter
sustaining voltage.
800
handbook, halfpage
VCEsat
(mV)
600
400
MGB889
handbook1, h.5alfpage
VBEsat
(V)
1
MGB882
200
0
10−1
1
IC (A)
10
IC/IB = 2; Tj = 25 °C.
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
0.5
10−1
1
IC (A)
10
IC/IB = 2; Tj = 25 °C.
Fig.9 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1997 Aug 13
7
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BU505D | Silicon diffused power transistors | NXP Semiconductors |
BU505DF | Silicon diffused power transistors | NXP Semiconductors |
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