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BU505DF 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BU505DF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BU505DF 자료 제공

부품번호 BU505DF 기능
기능 Silicon diffused power transistors
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BU505DF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BU505DF 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BU505F; BU505DF
Silicon diffused power transistors
Product specification
Supersedes data of December 1991
File under Discrete Semiconductors, SC06
1997 Aug 13




BU505DF pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BU505F; BU505DF
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCEOsust collector-emitter sustaining voltage IC = 0.1 A; IB = 0; L = 25 mH;
see Figs 6 and 7
VCEsat
collector-emitter saturation voltage IC = 2 A; IB = 900 mA;
see Fig.8
VBEsat
base-emitter saturation voltage
IC = 2 A; IB = 900 mA;
see Fig.9
VF diode forward voltage (BU505DF) IF = 2 A
ICES
collector-emitter cut-off current
VCE = VCESmax; VBE = 0;
note 1
IEBO emitter-base cut-off current
hFE DC current gain
fT transition frequency
VCE = VCESmax; VBE = 0;
Tj = 125 °C; note 1
VEB = 5 V; IC = 0
see Fig.3
VCE = 5 V; IC = 2 A
VCE = 5 V; IC = 100 mA
VCE = 5 V; IC = 100 mA;
f = 1 MHz
Cc collector capacitance
VCB = 10 V; IE = ie = 0;
f = 1 MHz
MIN.
700
2.22
6
Switching times in horizontal deflection circuit (see Fig.4)
ts storage time
tf fall time
ICM = 2 A; IB(end) = 900 mA;
Vdr = 4 V
LB = 10 µH
LB = 15 µH
LB = 25 µH
ICM = 2 A; IB(end) = 900 mA;
Vdr = 4 V
LB = 10 µH
LB = 15 µH
LB = 25 µH
Note
1. Measured with a half-sinewave voltage (curve tracer).
TYP.
13
7
65
6.5
7.5
9.5
0.9
0.9
0.85
MAX. UNIT
V
1V
1.3 V
1.8 V
0.15 mA
1 mA
1 mA
30
MHz
pF
− µs
− µs
− µs
− µs
− µs
− µs
1997 Aug 13
4

4페이지










BU505DF 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BU505F; BU505DF
handbook, halfpage
+ 50 V
100 to 200
L
horizontal
oscilloscope
vertical
6V
30 to 60 Hz
300
1
MGE252
handbookI,Chalfpage
(mA)
250
200
100
0
MGE239
min VCE (V)
VCEOsust
Fig.6 Test circuit for collector-emitter
sustaining voltage.
Fig.7 Oscilloscope display for collector-emitter
sustaining voltage.
800
handbook, halfpage
VCEsat
(mV)
600
400
MGB889
handbook1, h.5alfpage
VBEsat
(V)
1
MGB882
200
0
101
1
IC (A)
10
IC/IB = 2; Tj = 25 °C.
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
0.5
101
1
IC (A)
10
IC/IB = 2; Tj = 25 °C.
Fig.9 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1997 Aug 13
7

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