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BU931T 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 BU931T은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BU931T 자료 제공

부품번호 BU931T 기능
기능 HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER NPN POWER DARLINGTONS
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


BU931T 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 13 페이지수

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BU931T 데이터시트, 핀배열, 회로
BU931
BU931P, BU931T
High voltage ignition coil driver
NPN power Darlington transistors
Features
Very rugged Bipolar technology
High operating junction temperature
Wide range of packages
Application
High ruggedness electronic ignitions
Description
The devices are bipolar Darlington transistors
manufactured using multi-epitaxial planar
technology. They have been properly designed to
be used in automotive environment as electronic
ignition power actuators.
TAB
1
2
TO-3
TAB
3
2
1
TO-247
3
2
1
TO-220
Figure 1. Internal schematic diagrams
for TO-3
for TO-220
and TO-247
Table 1. Device summary
Order codes
BU931
BU931P
BU931T
Marking
BU931
BU931P
BU931T
Packages
TO-3
TO-247
TO-220
December 2009
Doc ID 1004 Rev 4
Packaging
Tray
Tube
Tube
1/13
www.st.com
13




BU931T pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
BU931, BU931P, BU931T
Tcase = 25 °C; unless otherwise specified.
Table 4. Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
ICES
ICEO
IEBO
VCEO(sus)(1)
Collector cut-off current
(VBE = 0)
VCE = 500 V
VCE = 500 V TC = 125 °C
Collector cut-off current
(IB = 0)
VCE = 450 V
VCE = 450 V TC = 125 °C
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 5 V
Collector-emitter
sustaining voltage (IB = 0)
IC = 100 mA
Vclamp = 400 V
see Figure 14
L = 10 mH
400
100 µA
0.5 mA
100 µA
0.5 mA
20 mA
V
VCE(sat) (1)
Collector-emitter
saturation voltage
VBE(sat) (1)
Base-emitter saturation
voltage
hFE (1)
VF
DC current gain
Diode forward voltage
Functional test
IC = 7 A
IC = 8 A
IC = 10 A
IB = 70 mA
IB = 100 mA
IB = 250 mA
IC = 7 A
IC = 8 A
IC = 10 A
IB = 70 mA
IB = 100 mA
IB = 250 mA
IC = 5 A
VCE = 10 V
IF = 10 A
VCC = 24 V L = 7 mH
Vclamp = 400 V
see Figure 11
300
8
1.6 V
1.8 V
1.8 V
2.2 V
2.4 V
2.5 V
2.5 V
A
Inductive Load
ts Storage time
tf Fall time
IC = 7 A Vclamp = 300 V
IB = 70 mA L = 7 mH
VBE = 0
RBE = 47
VCC = 12 V see Figure 13
1. Pulse test: pulse duration 300 µs, duty cycle 2 %
15
0.5
µs
µs
4/13 Doc ID 1004 Rev 4

4페이지










BU931T 전자부품, 판매, 대치품
BU931, BU931P, BU931T
3 Test circuits
Figure 11. Functional test circuit
Test circuits
Figure 12. Functional test waveforms
Figure 13. Switching time test circuit
Figure 14. Sustaining voltage test circuit
Doc ID 1004 Rev 4
7/13

7페이지


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