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BUJ100 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUJ100은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUJ100 자료 제공

부품번호 BUJ100 기능
기능 Silicon Diffused Power Transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUJ100 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUJ100 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BUJ100
Silicon Diffused Power Transistor
Product specification
September 1999




BUJ100 pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
Silicon Diffused Power Transistor
+ 50v
100-200R
Horizontal
Oscilloscope
Vertical
6V
30-60 Hz
300R
1R
Fig.1. Test circuit for VCEOsust.
IC / mA
250
100
10
0
Fig.2.
VCE / V
min
VCEOsust
Oscilloscope display for VCEOsust.
120 PD%
Normalised Power Derating
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140
Tmb / C
Fig.3. Normalised power dissipation.
PD% = 100PD/PD 25˚C = f (Tmb)
Product specification
BUJ100
! Zth / (K/W)
100
0.5
10 0.2
0.1
0.05
1 0.02
0.1
D=0
PD tp
D=
tp
T
Tt
0.01
1u 10u 100u 1m 10m 100m 1 10 100
t/s
Fig.4. Transient thermal impedance.
Zth j-lead = f(t); parameter D = tp/T
HFE
30
20
15
125 C
10 25 C
-40 C
VCE = 1V
5
1
0.001
Fig.5.
0.01
0.1
IC/A
1 23 5
Typical DC current gain. hFE = f(IC)
parameter VCE
HFE
30
125 C
25 C
10
-40 C
VCE = 5V
1
0.001
Fig.6.
0.01
0.1
IC/A
1 23 5
Typical DC current gain. hFE = f(IC)
parameter VCE
September 1999
3
Rev 1.000

4페이지










BUJ100 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
Silicon Diffused Power Transistor
Product specification
BUJ100
tf (ns)
5,000
2,000
1,000
100
50
0
IC/IB = 10
IC/IB = 5
IC/IB = 3
0.5 1 1.5
IC COLLECTOR CURRENT (A)
Fig.19. Resistive switching.
tf = f(IC)
2
VCC
LC
IBon LB
VCL(RBSOAR)
PROBE POINT
-VBB T.U.T.
Fig.20. Test Circuit for the RBSOA test.
Vcl 700V; Vcc = 150V; LB = 1µH; Lc = 200µH
IC/A
2.5
2.25
2
1.75
1.5
1.25
1
0.75
0.5
0.25
0
0
-9V
-5V
-3V
-1V
100
200
300 400 500
VCEclamp/V
600
700
800
Fig.21. Reverse bias safe operating area Tj Tjmax
for -VBE = 9V, 5V,3V & 1V
September 1999
6
Rev 1.000

7페이지


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