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부품번호 | BUJ105AB 기능 |
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기능 | Silicon Diffused Power Transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
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전체 9 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BUJ105AB
Silicon Diffused Power Transistor
Product specification
October 2001
NXP Semiconductors
Silicon Diffused Power Transistor
Product specification
BUJ105AB
+ 50v
100-200R
Horizontal
Oscilloscope
Vertical
6V
30-60 Hz
300R
1R
Fig.1. Test circuit for VCEOsust.
90 %
ICon
90 %
IC
ton
IB
10 %
tr 30ns
10 %
ts
tf
toff
IBon
-IBoff
Fig.4. Switching times waveforms with resistive load.
IC / mA
VCC
250
100
10
0
Fig.2.
VCE / V
min
VCEOsust
Oscilloscope display for VCEOsust.
IBon
-VBB
LC
LB
T.U.T.
Fig.5. Test circuit inductive load.
VCC = 300 V; -VBE = 5 V; LC = 200 uH; LB = 1 uH
VCC
VIM
0
tp
T
RB
RL
T.U.T.
Fig.3. Test circuit resistive load. VIM = -6 to +8 V
VCC = 250 V; tp = 20 µs; δ = tp / T = 0.01.
RB and RL calculated from ICon and IBon requirements.
ICon
90 %
IC
10 %
ts tf
toff
t
IB IBon
t
-IBoff
Fig.6. Switching times waveforms with inductive load.
October 2001
3
Rev 1.000
4페이지 NXP Semiconductors
Silicon Diffused Power Transistor
Product specification
BUJ105AB
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 1.4 g
10.3 max
4.5 max
1.4 max
11 max
15.4
2.5
0.85 max
(x2)
0.5
2.54 (x2)
Fig.16. SOT404 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
11.5
9.0
17.5
2.0
Notes
1. Plastic meets UL94 V0 at 1/8".
3.8
5.08
Fig.17. SOT404 : soldering pattern for surface mounting.
October 2001
6
Rev 1.000
7페이지 | |||
구 성 | 총 9 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUJ105A | Silicon Diffused Power Transistor | NXP Semiconductors |
BUJ105AB | Silicon Diffused Power Transistor | NXP Semiconductors |
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