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UMF6N 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 UMF6N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 UMF6N 자료 제공

부품번호 UMF6N 기능
기능 Power management (dual transistors)
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


UMF6N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

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UMF6N 데이터시트, 핀배열, 회로
Transistors
UMF6N
Power management (dual transistors)
UMF6N
2SA2018 and 2SK3019 are housed independently in a UMT package.
!Application
Power management circuit
!External dimensions (Units : mm)
!Features
1) Power switching circuit in a single package.
2) Mounting cost and area can be cut in half.
!Structure
Silicon epitaxial planar transistor
!Equivalent circuits
(3) (2) (1)
Tr1
Tr2
(4) (5) (6)
1.25
2.1
0.1Min.
ROHM : UMT6
EIAJ : SC-88
Each lead has same dimensions
!Packaging specifications
Type
Package
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
UMF6N
UMT6
F6
TR
3000
1/5




UMF6N pdf, 반도체, 판매, 대치품
Transistors
Tr2
0.15
0.1
4V
3.5V
3V
Ta=25°C
Pulsed
2.5V
0.05
2V
VGS=1.5V
0
01 2 34 5
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)
Fig.9 Typical output characteristics
200m
VDS=3V
100m Pulsed
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
0
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
123
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
4
Fig.10 Typical transfer characteristics
UMF6N
2 VDS=3V
ID=0.1mA
Pulsed
1.5
1
0.5
0
50 25 0 25 50 75 100 125 150
CHANNEL TEMPERATURE : Tch (°C)
Fig.11 Gate threshold voltage vs.
channel temperature
50
20 Ta=125°C
75°C
25°C
10 25°C
5
VGS=4V
Pulsed
50
Ta=125°C
20
75°C
25°C
25°C
10
5
VGS=2.5V
Pulsed
22
1
0.5
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
DRAIN CURRENT : ID (A)
0.5
1
0.5
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
DRAIN CURRENT : ID (A)
0.5
Fig.12 Static drain-source on-state
Fig.13 Static drain-source on-state
resistance vs. drain current ( Ι )
resistance vs. drain current ( ΙΙ )
15 Ta=25°C
Pulsed
10
5
ID=0.1A
ID=0.05A
0
0 5 10 15 20
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
Fig.14 Static drain-source on-state
resistance vs. gate-source
voltage
9 VGS=4V
8 Pulsed
7
ID=100mA
6
5 ID=50mA
4
3
2
1
0
50 25 0 25 50 75 100 125 150
CHANNEL TEMPERATURE : Tch (°C)
0.5
0.2
Ta=−25°C
0.1 25°C
0.05
75°C
125°C
0.02
0.01
0.005
VDS=3V
Pulsed
0.002
0.001
0.0001 0.0002 0.0005 0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
DRAIN CURRENT : ID (A)
0.5
200m
100m
50m
VGS=0V
Pulsed
20m
Ta=125°C
10m 75°C
5m 25°C
25°C
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
0 0.5 1 1.5
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
Fig.15 Static drain-source on-state
Fig.16 Forward transfer admittance vs.
resistance vs. channel temperature
drain current
Fig.17 Reverse drain current vs.
source-drain voltage ( Ι )
4/5

4페이지












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