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UN2223 데이터시트 PDF




Panasonic Semiconductor에서 제조한 전자 부품 UN2223은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 UN2223 자료 제공

부품번호 UN2223 기능
기능 Silicon NPN epitaxial planer transistor
제조업체 Panasonic Semiconductor
로고 Panasonic Semiconductor 로고


UN2223 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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UN2223 데이터시트, 핀배열, 회로
Transistors with built-in Resistor
UN2221/2222/2223/2224
Silicon NPN epitaxial planer transistor
For digital circuits
0.65±0.15
+0.2
2.8 –0.3
+0.25
1.5 –0.05
Unit: mm
0.65±0.15
s Features
q Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
q Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through tape packing and magazine packing.
1
3
2
s Resistance by Part Number
Marking Symbol
q UN2221
9A
q UN2222
9B
q UN2223
9C
q UN2224
9D
(R1)
2.2k
4.7k
10k
2.2k
(R2)
2.2k
4.7k
10k
10k
s Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)
Parameter
Symbol
Ratings
Collector to base voltage
VCBO
50
Collector to emitter voltage VCEO
50
Collector current
IC 500
Total power dissipation
PT
200
Junction temperature
Tj
150
Storage temperature
Tstg –55 to +150
s Electrical Characteristics (Ta=25˚C)
Unit
V
V
mA
mW
˚C
˚C
0.1 to 0.3
0.4±0.2
1:Base
2:Emitter
3:Collector
EIAJ:SC-59
Mini Type Package
Internal Connection
R1
B
R2
C
E
Parameter
Symbol
Conditions
min typ max
Collector cutoff current
Emitter
cutoff
current
UN2221
UN2222
UN2223/2224
ICBO
ICEO
IEBO
VCB = 50V, IE = 0
VCE = 50V, IB = 0
VEB = 6V, IC = 0
1
1
5
2
1
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Forward
current
transfer
ratio
UN2221
UN2222
UN2223/2224
VCBO
VCEO
IC = 10µA, IE = 0
IC = 2mA, IB = 0
hFE VCE = 10V, IC = 100mA
50
50
40
50
60
Collector to emitter saturation voltage
Output voltage high level
Output voltage low level
Transition frequency
Input
resis-
tance
UN2221/2224
UN2222
UN2223
VCE(sat)
VOH
VOL
fT
R1
IC = 100mA, IB = 5mA
VCC = 5V, VB = 0.5V, RL = 500
VCC = 5V, VB = 3.5V, RL = 500
VCB = 10V, IE = –50mA, f = 200MHz
4.9
(–30%)
0.25
0.2
200
2.2
4.7 (+30%)
10
Resistance ratio
R1/R2
UN2224
0.8 1.0 1.2
0.22
Unit
µA
µA
mA
V
V
V
V
V
MHz
k
1




UN2223 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Transistors with built-in Resistor
UN2221/2222/2223/2224
Cob — VCB
12
f=1MHz
IE=0
Ta=25˚C
10
8
6
4
2
0
0.1 0.3 1 3 10 30 100
Collector to base voltage VCB (V)
10000
3000
1000
IO — VIN
VO=5V
Ta=25˚C
300
100
30
10
3
1
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
Input voltage VIN (V)
VIN — IO
100 VO=0.2V
Ta=25˚C
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
0.3 1 3 10 30
Output current IO (mA)
100
Characteristics charts of UN2224
IC — VCE
300
Ta=25˚C
250
200 IB=1.0mA
0.9mA
0.8mA
150 0.7mA
0.6mA
100 0.5mA
0.4mA
0.3mA
50
0.2mA
0.1mA
0
0 2 4 6 8 10 12
Collector to emitter voltage VCE (V)
VCE(sat) — IC
100
IC/IB=10
30
10
3
1
Ta=75˚C
0.3
25˚C
0.1
0.03 –25˚C
0.01
1 3 10 30 100 300 1000
Collector current IC (mA)
hFE — IC
200
VCE=10V
Ta=75˚C
25˚C
150
– 25˚C
100
50
0
1 3 10 30 100 300 1000
Collector current IC (mA)
Cob — VCB
12
f=1MHz
IE=0
Ta=25˚C
10
8
6
4
2
0
0.1 0.3 1 3 10 30 100
Collector to base voltage VCB (V)
10000
3000
1000
IO — VIN
VO=5V
Ta=25˚C
300
100
30
10
3
1
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
Input voltage VIN (V)
1000
300
100
VIN — IO
VO=0.2V
Ta=25˚C
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
0.3 1 3 10 30
Output current IO (mA)
100
4

4페이지












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