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UNR911LJ 데이터시트 PDF




Panasonic Semiconductor에서 제조한 전자 부품 UNR911LJ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 UNR911LJ 자료 제공

부품번호 UNR911LJ 기능
기능 Silicon PNP Epitaxial Transistor
제조업체 Panasonic Semiconductor
로고 Panasonic Semiconductor 로고


UNR911LJ 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 19 페이지수

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UNR911LJ 데이터시트, 핀배열, 회로
Transistors with built-in Resistor
UNR911xJ Series (UN911xJ Series)
Silicon PNP epitaxial planar type
For digital circuits
Features
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
SS-Mini type package, allowing automatic insertion through tape
packing.
1.60+–00..0035
1.00±0.05
3
12
0.27±0.02
(0.50)(0.50)
Unit: mm
0.12+–00..0013
Resistance by Part Number
Marking Symbol (R1)
UNR9110J (UN9110J) 6L
47 k
UNR9111J (UN9111J) 6A
10 k
UNR9112J (UN9112J) 6B
22 k
UNR9113J (UN9113J) 6C
47 k
UNR9114J (UN9114J) 6D
10 k
UNR9115J (UN9115J) 6E
10 k
UNR9116J (UN9116J)
UNR9117J (UN9117J)
UNR9118J (UN9118J)
UNR9119J (UN9119J)
UNR911AJ
UNR911BJ
6F
6H
6I
6K
6X
6Y
4.7 k
22 k
0.51 k
1 k
100 k
100 k
UNR911CJ
6Z
UNR911DJ (UN911DJ) 6M
47 k
UNR911EJ (UN911EJ) 6N
47 k
UNR911FJ (UN911FJ) 6O
4.7 k
UNR911HJ (UN911HJ) 6P
2.2 k
UNR911LJ (UN911LJ)
UNR911MJ
UNR911NJ
UNR911TJ (UN911TJ)
UNR911VJ
6Q
EI
EW
EY
FC
4.7 k
2.2 k
4.7 k
22 k
2.2 k
(R2)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
100 k
47 k
10 k
22 k
10 k
10 k
4.7 k
47 k
47 k
47 k
2.2 k
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-89
SSMini3-F1 Package
Internal Connection
R1
B
R2
C
E
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter
Symbol Rating
Collector-base voltage (Emitter open)
Collector-emitter voltage (Base open)
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
VCBO
VCEO
IC
PT
Tj
Tstg
50
50
100
125
125
55 to +125
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
Publication date: January 2004
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.
SJH00038BED
1




UNR911LJ pdf, 반도체, 판매, 대치품
UNR911xJ Series
Cob VCB
6 f = 1 MHz
IE = 0
5 Ta = 25°C
4
3
2
1
0
−10 −1
1
10 −102
Collecto-base voltage VCB (V)
IO VIN
VIN IO
104
VO = −5 V
Ta = 25°C
−102
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
103 10
102 1
10 −10 −1
1
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
Input voltage VIN (V)
1.4
−10 −2
−10 −1
1 10
Output current IO (mA)
−102
Characteristics charts of UNR9111J
160
120
80
40
IC VCE
IB = −1.0 mA Ta = 25°C
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0
0 2 4 6 8 10 12
Collector-emitter voltage VCE (V)
VCE(sat) IC
−102
IC / IB = 10
10
1
−10 −1
25°C
25°C
Ta = 75°C
−10 −2
−10 −1
1
10
Collector current IC (mA)
−102
hFE IC
160
VCE = −10 V
Ta = 75°C
25°C
120
25°C
80
40
0
1 10 −102 −103
Collector current IC (mA)
Cob VCB
6
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
4
3
2
1
0
−10 −1
1
10 −102
Collector-base voltage VCB (V)
IO VIN
VIN IO
−104
VO = −5 V
Ta = 25°C
−102
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−103 10
−102
1
10 −10 −1
1
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
Input voltage VIN (V)
1.4
−10 −2
−10 −1
1 10
Output current IO (mA)
−102
4 SJH00038BED

4페이지










UNR911LJ 전자부품, 판매, 대치품
UNR911xJ Series
Characteristics charts of UNR9115J
160
120
80
IC VCE
IB = 1.0 mA
Ta = 25°C
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
−102
10
1
0.2 mA
40 −10 −1
0.1 mA
VCE(sat) IC
IC / IB = 10
25°C
Ta = 75°C
0
0 2 4 6 8 10 12
Collector-emitter voltage VCE (V)
25°C
−10 −2
−10 −1
1
10
Collector current IC (mA)
−102
hFE IC
400
VCE = −10 V
300
Ta = 75°C
200 25°C
25°C
100
0
1 10 −102 −103
Collector current IC (mA)
Cob VCB
6
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
4
3
2
1
0
−10 −1
1
10 −102
Collector-base voltage VCB (V)
IO VIN
−104
VO = −5 V
Ta = 25˚C
−102
−103 10
VIN IO
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−102
1
10 −10 −1
1
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
Input voltage VIN (V)
1.4
−10 −2
−10 −1
1 10
Output current IO (mA)
−102
Characteristics charts of UNR9116J
160
120
80
IC VCE
IB = 1.0 mA Ta = 25°C
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
−102
10
1
0.3 mA
40
0.2 mA
−10 −1
VCE(sat) IC
IC / IB = 10
25°C
Ta = 75°C
0.1 mA
0
0 2 4 6 8 10 12
Collector-emitter voltage VCE (V)
25°C
−10 −2
−10 −1
1
10
Collector current IC (mA)
−102
SJH00038BED
hFE IC
400
VCE = −10 V
300
Ta = 75°C
200
25°C
25°C
100
0
1 10 −102 −103
Collector current IC (mA)
7

7페이지


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