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UPA104 데이터시트 PDF




NEC에서 제조한 전자 부품 UPA104은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 UPA104 자료 제공

부품번호 UPA104 기능
기능 HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTOR ARRAY
제조업체 NEC
로고 NEC 로고


UPA104 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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UPA104 데이터시트, 핀배열, 회로
DATA SHEET
COMPOUND TRANSISTOR
µPA104
HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTOR ARRAY
FEATURES
9 GHz CONFIGURABLE TRANSISTOR BASED OR/NOR CIRCUITRY
OUTSTANDING hFE LINEARITY
TWO PACKAGE OPTIONS:
µPA104B: Studded ceramic package provides superior thermal dissipation
µPA104G: Reduced circuit size due to 14-pin plastic SOP package for surface mounting
EXCELLENT FOR ANALOG ADDITIONS & FORMATION OF 2-INPUT OR/NOR GATES
DESCRIPTION AND APPLICATIONS
The µPA104 is a user-configurable, Si bipolar transistor array for formation of high speed OR/NOR gates. Its
internal transistor configuration and external connection options allow the user considerable flexibility in its
application. Its high gain bandwidth product (fT = 9 GHz) make it applicable for electro-optical, signal processing,
cellular telephone systems, instrumentation, and high speed gigabit logic circuits.
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
PACKAGE
µPA104B-E1
14-pin ceramic package
µPA104G-E1
14-pin plastic SOP (225 mil)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25 °C)
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS RATINGS
VCBO*
Collector to Base Voltage V
15
VCEO*
Collector to Emitter Voltage
V
6
VEBO*
Emitter to Base Voltage
V
2.5
IC* Collector Current
mA 40
PT Power Dissipation
µPA104B mW
µPA104G mW
650
350
TJ Junction Temperature
µPA104B °C
µPA104G °C
200
125
TSTG
Storage Temperature
µPA104B °C –55 to +200
µPA104G °C –55 to +125
* Absolute maximum ratings for each transistor.
Caution electro-static sensitive devices
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for availability
and additional information.
Document No. P10709EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published October 1999 N CP(K)
Printed in Japan
The mark shows major revised points.
©
1995, 1999




UPA104 pdf, 반도체, 판매, 대치품
µPA104
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS (TA = +25 °C)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
10
100
8 80
6 60
4 40
IB = 20 µ A
2
0
012 34 5
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.1
0
VCE = 3 V
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
Base to Emitter Voltage, VBE (V)
1000
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
200
VCE = 3 V
100
50
20
10
0.5
12
5 10 20
Collector Current, IC (mA)
50
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
12
VCE = 5 V
10
8
3V
6
1V
4 12
5 10 20 50
Collector Current, IC (mA)
GAIN AND NOISE FIGURE OF
INDIVIDUAL TRANSISTOR
20
VCC = 3 V
f = 1 GHz
8
GAIN
6
10
4
NF 2
0
12
5 10 20
0
50 100
Collector Current, IC (mA)
4 Data Sheet P10709EJ2V0DS00

4페이지










UPA104 전자부품, 판매, 대치품
[MEMO]
µPA104
Data Sheet P10709EJ2V0DS00
7

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