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UPA1428 데이터시트 PDF




NEC에서 제조한 전자 부품 UPA1428은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 UPA1428 자료 제공

부품번호 UPA1428 기능
기능 NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIAL USE
제조업체 NEC
로고 NEC 로고


UPA1428 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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UPA1428 데이터시트, 핀배열, 회로
DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR ARRAY
µPA1428A
NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY
HIGH SPEED SWITCHING USE (DARLINGTON TRANSISTOR)
INDUSTRIAL USE
DESCRIPTION
The µPA1428A is NPN silicon epitaxial Darlington Power
Transistor Array that built in Surge Absorber 4 circuits
designed for driving solenoid, relay, lamp and so on.
FEATURES
Surge Absorber built in.
Easy mount by 0.1 inch of terminal interval.
High hFE for Darlington Transistor.
ORDERING INFORMATION
Part Number
µPA1428AH
Package
10 Pin SIP
Quality Grade
Standard
Please refer to “Quality grade on NEC Semiconductor
Device” (Document number IEI-1209) published by NEC
Corporation to know the specification of quality grade on
the devices and its recommended applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 ˚C)
Collector to Base Voltage VCBO 60 ±10 V
Collector to Emitter Voltage VCEO 60 ±10 V
Emitter to Base Voltage
VEBO
8
V
Surge Sustaining Energy ECEO(sus) 30 mJ/unit
Collector Current (DC)
IC(DC)
±2 A/unit
Collector Current (pulse)
IC(pulse)* ±3
A/unit
Base Current (DC)
IB(DC)
0.2 A/unit
Total Power Dissipation
PT1** 3.5
W
Total Power Dissipation
PT2*** 28
W
Junction Temperature Tj 150 ˚C
Storage Temperature
Tstg –55 to +150 ˚C
* PW 350 µs, Duty Cycle 2 %
** 4 Circuits, Ta = 25 ˚C
*** 4 Cuircuits, Tc = 25 ˚C
PACKAGE DIMENSION
(in millimeters)
26.8 MAX.
4.0
1.4 0.6 ±0.2
2.54
1.4
0.5 ±0.2
1 2 3 4 5 6 7 8 910
CONNECTION DIAGRAM
3 579
2 468
1 10
(C)
(B)
R1 R2
(E)
PIN NO.
2, 4, 6, 8: Base (B)
3, 5, 7, 9: Collector (C)
1, 10: Emitter (E)
R1 =.. 10 k
R2 =.. 900
Document No. IC-3479
(O.D. No. IC-8359)
Date Published September 1994 P
Printed in Japan
The information in this document is subject to change without notice.
©
1994




UPA1428 pdf, 반도체, 판매, 대치품
COLLECTOR SATURATION
VOLTAGE vs. COLLECTOR CURRENT
10
IC /IB = 1000
Pulsed
Ta = –25 ˚C
25 ˚C
75 ˚C
125 ˚C
1
µPA1428A
BASE SATURATION VOLTAGE vs.
COLLECTOR CURRENT
10
Ta = –25 ˚C
IC /IB = 1000
Pulsed
25 ˚C
75 ˚C
125 ˚C
1
0.1
0.1
1
IC - Collector Current - A
10
SWITCHING TIME vs. COLLECTOR CURRENT
10
IC /IB = 500
1
0.1
0.1
tstg
tf
ton
1
IC - Collector Current - A
10
0.1
0.1
1
IC - Collector Current - A
10
DUMPER DIODE CHARACTERISTICS
100
10
1
100 m
10 m
0
1.0 1 3.0
VF(E-C) - Dumper Diode Voltage - V
4.0
4

4페이지












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