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UPA1458 데이터시트 PDF




NEC에서 제조한 전자 부품 UPA1458은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 UPA1458 자료 제공

부품번호 UPA1458 기능
기능 NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIAL USE
제조업체 NEC
로고 NEC 로고


UPA1458 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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UPA1458 데이터시트, 핀배열, 회로
DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR ARRAY
µPA1458
NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY
LOW SPEED SWITCHING USE (DARLINGTON TRANSISTOR)
INDUSTRIAL USE
DESCRIPTION
The µPA1458 is NPN silicon epitaxial Darlington
Power Transistor Array that built in Surge Absorber and
4 circuits designed for driving solenoid, relay, lamp and
so on.
PACKAGE DIMENSION
(in millimeters)
26.8 MAX.
4.0
FEATURES
Surge Absorber (C - B) built in.
Easy mount by 0.1 inch of terminal interval.
High hFE for Darlington Transistor.
ORDERING INFORMATION
1.4 0.6 ±0.1
2.54
1.4
0.5 ±0.1
Part Number
µPA1458H
Package
10 Pin SIP
Quality Grade
Standard
Please refer to "Quality grade on NEC Semiconductor Devices"
(Document number IEI-1209) published by NEC Corporation to
know the specification of quality grade on the devices and its
recommended applications.
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
CONNECTION DIAGRAM
3579
2468
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 ˚C)
Collector to Base Voltage
VCBO 60 ±10
V
Collector to Emitter Voltage VCEO 60 ±10 V
Emitter to Base Voltage
VEBO
7
V
Surge Sustaining Energy
ECEO(sus) 25 mJ/unit
Collector Current (DC)
IC(DC)
±5 A/unit
Collector Current (pulse)
IC(pulse)* ±10 A/unit
Collector Current
ICBS(DC) 5 mA/unit
Base Current (DC)
IB(DC)
0.5 A/unit
Total Power Dissipation
PT1** 3.5
W
Total Power Dissipation
PT2*** 28
W
Junction Temperature
Tj 150 ˚C
Storage Temperature
Tstg –55 to +150 ˚C
* PW 300 µs, Duty Cycle 10 %
** 4 Circuits, Ta = 25 ˚C
*** 4 Circuits, Tc = 25 ˚C
1
(B)
(C)
R1 R2
(E)
10
PIN No.
2, 4, 6, 8: Base (B)
3, 5, 7, 9: Collector (C)
1, 10 : Emitter (E)
R1 =.. 3.0 k
R2 =.. 300
Document No. IC-3523
(O. D. No. IC-6342)
Date Published September 1994 P
Printed in Japan
The information in this document is subject to change without notice.
©
1994




UPA1458 pdf, 반도체, 판매, 대치품
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
100
VCE 10 V
10
1.0
0.1
0.1
1 10
PW - Pulse Width - ms
100
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
5
1.4 1.0
0.8
4 0.6
0.4
3
2
IB = 0.2 mA
1
0 12345
VCE - Collector to Emitter Voltage - V
µPA1458
BASE SATURATION VOLTAGE vs.
COLLECTOR CURRENT
10
IC = 1000·IB
Pulse Test
1
0.1
0.1
Ta = –25 ˚C
25 ˚C
75 ˚C
125 ˚C
1
IC - Collector Current - A
10
4

4페이지












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