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UPA1552 데이터시트 PDF




NEC에서 제조한 전자 부품 UPA1552은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 UPA1552 자료 제공

부품번호 UPA1552 기능
기능 N-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING USE
제조업체 NEC
로고 NEC 로고


UPA1552 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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UPA1552 데이터시트, 핀배열, 회로
DATA SHEET
COMPOUND FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR
µPA1552B
N-CHANNEL POWER MOS FET ARRAY
SWITCHING USE
DESCRIPTION
The µPA1552B is N-channel Power MOS FET Array
that built in 4 circuits designed, for solenoid, motor and
lamp driver.
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters
26.8 MAX.
4.0
FEATURES
• 4 V driving is possible
• Large Current and Low On-state Resistance
ID(DC) = ±5.0 A
RDS(on)1 0.18 MAX. (VGS = 10 V, ID = 3 A)
RDS(on)2 0.24 MAX. (VGS = 4 V, ID = 3 A)
• Low Input Capacitance Ciss = 200 pF TYP.
ORDERING INFORMATION
Type Number
µPA1552BH
Package
10 Pin SIP
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)
Drain to Source Voltage VDSS Note 1
60
Gate to Source Voltage
VGSS Note 2
±20
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)
Total Power Dissipation
Total Power Dissipation
ID(DC)
ID(pulse) Note 3
PT1 Note 4
PT2 Note 5
±5.0
±20
28
3.5
Channel Temperature
TCH
150
Storage Temperature
Single Avalanche Current
Single Avalanche Energy
Tstg
IAS Note 6
EAS Note 6
–55 to +150
5.0
2.5
V
V
A/unit
A/unit
W
W
˚C
˚C
A
mJ
1.4 0.6±0.1
2.54
1.4
0.5±0.1
1 2 3 4 5 6 7 8 910
CONNECTION DIAGRAM
3579
24 68
1 10
ELECTRODE CONNECTION
2, 4, 6, 8 : Gate
3, 5, 7, 9 : Drain
1, 10 : Source
Notes 1. VGS = 0
3. PW 10 µs, Duty Cycle 1 %
5. 4 Circuits, TA = 25 ˚C
2. VDS = 0
4. 4 Circuits, TC = 25 ˚C
6. Starting TCH = 25 ˚C, V DD = 30 V, VGS = 20 V 0,
RG = 25 , L = 100 µH
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this
device is actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage
may be applied to this device.
Document No. G10599EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published December 1995 P
Printed in Japan
© 1995




UPA1552 pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 000
100
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
Single Pulse,
For each Circuit
Rth(CH-A) 4Circuits
3Circuits
2Circuits
1Circuit
10 Rth(CH-C)
µPA1552B
1.0
0.1
100 µ
1m
10 m
100 m
1
PW - Pulse Width - sec
10
100 1 000
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
100 VDS = 10 V
Pulsed
TA = -25 ˚C
10 25 ˚C
75 ˚C
125 ˚C
1.0
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
300 Pulsed
200 ID = 5 A
3A
1A
100
0.1
0.1 1.0 10
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
300 Pulsed
200 VGS = 4 V
100
VGS = 10 V
0
1.0
10
ID - Drain Current - A
0 10 20
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUTOFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
VDS = 10 V
2 ID = 1 mA
1
0
–50 0
50 100 150
TCH - Channel Temperature - ˚C
4

4페이지










UPA1552 전자부품, 판매, 대치품
[MEMO]
µPA1552B
7

7페이지


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