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UPA1756 데이터시트 PDF




NEC에서 제조한 전자 부품 UPA1756은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 UPA1756 자료 제공

부품번호 UPA1756 기능
기능 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
제조업체 NEC
로고 NEC 로고


UPA1756 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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UPA1756 데이터시트, 핀배열, 회로
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
µ PA1756
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
INDUSTRIAL USE
DESCRIPTION
This product is Dual N-Channel MOS Field Effect
Transistor designed for power management
application of notebook computers, and Li-ion
battery application.
FEATURES
Dual MOS FET chips in small package
2.5-V gate drive type and low on-resistance
RDS(on)1 = 30 mMAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A)
RDS(on)2 = 40 mMAX. (VGS = 2.5 V, ID = 3.0 A)
Low Ciss Ciss = 800 pF TYP.
Built-in G-S protection diode
Small and surface mount package (Power SOP8)
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
µ PA1756G
PACKAGE
Power SOP8
PACKAGE DRAWING (Unit : mm)
85
14
5.37 Max.
1 ; Source 1
2 ; Gate 1
7, 8 ; Drain 1
3 ; Source 2
4 ; Gate 2
5, 6 ; Drain 2
6.0 ±0.3
4.4
1.27 0.78 Max.
0.40
+0.10
–0.05
0.12 M
0.5 ±0.2
0.8
0.10
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)
VDSS
20 V
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)
VGSS
±12.0
V
Drain Current (DC)
ID(DC)
±6.0 A
Drain Current (Pulse)Note1
ID(pulse)
±24 A
Total Power Dissipation (1 unit)Note2
PT
1.7 W
Total Power Dissipation (2 unit)Note2
PT
2.0 W
Channel Temperature
Tch 150 °C
Storage Temperature
Tstg 55 to +150 °C
Notes 1. PW 10 µ s, Duty Cycle 1 %
2. TA = 25 °C, Mounted on ceramic substrate of 2000 mm2 x 1.1 mm
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Gate
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Source
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this
device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage may
be applied to this device.
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. D12909EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published February 1999 NS CP (K)
Printed in Japan
©
1999




UPA1756 pdf, 반도체, 판매, 대치품
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
40 VGS=2.5V
VGS=4V
30
VGS=4.5V
20
10
0 ID= 3A
- 50 0 50 100 150
Tch - Channel Temperature -˚C
10 000
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
VGS = 0 V
f = 1 MHz
1 000
100
Ciss
Coss
Crss
10
0.1
1 10
VDS - Drain to Source Voltage - V
100
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
40 8
ID= 6A
30 6
20
VDD=16V
10V
4V
10
VGS
VDS
0 4 8 12
QG - Gate Charge - nC
4
2
0
16
µ PA1756
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
Pulsed
100
VGS=4V
10
VGS=2.5V
1
VGS=0V
0.1
0
0.5 1.0
VSD - Source to Drain Voltage - V
1.5
10 000
SWITCHING CHARACTERISTICS
1 000
100
10
0.1
td(off)
tf
tr
td(on)
VDD =10V
VGS(on) = 4V
RG =10
1 10 100
ID - Drain Current - A
4 Data Sheet D12909EJ1V0DS00

4페이지










UPA1756 전자부품, 판매, 대치품
[MEMO]
µ PA1756
Data Sheet D12909EJ1V0DS00
7

7페이지


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