VTT1115 - .050 NPN Phototransistors

부품번호

VTT1115 기능

기능

.050 NPN Phototransistors

제조업체

PerkinElmer Optoelectronics

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.050" NPN Phototransistors

TO-46 Lensed Package

VTT1115, 16, 17

PACKAGE DIMENSIONS inch (mm)

CASE 3 TO-46 HERMETIC (LENSED)

CHIP TYPE: 50T

PRODUCT DESCRIPTION

A large area high sensitivity NPN silicon phototransistor in

a lensed, hermetically sealed, TO-46 package. The

hermetic package offers superior protection from hostile

environments The base connection is brought out

allowing conventional transistor biasing. These devices

are spectrally matched to the VTE11xx series of IREDs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(@ 25°C unless otherwise noted)

Maximum Temperatures

Storage Temperature:

Operating Temperature:

Continuous Power Dissipation:

Derate above 30°C:

Maximum Current:

Lead Soldering Temperature:

(1.6 mm from case, 5 sec. max.)

-40°C to 110°C

250 mW

3.12 mW/°C

200 mA

260°C

ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (See also typical curves, pages 91-92)

Part Number

VTT1115

VTT1116

VTT1117

Light Current

Min. Max.

fc (mW/cm2)

VCE = 5.0 V

1.0 —

2.0 —

4.0 —

20 (1)

Dark Current

lCEO

H=0

(nA) VCE

Max. (Volts)

100 10

Collector

Breakdown

VBR(CEO)

lC = 100 µA

H=0

Volts, Min.

Emitter

Breakdown

VBR(ECO)

lE = 100 µA

H=0

Volts, Min.

6.0

4.0

Saturation

Voltage

VCE(SAT)

lC = 1.0 mA

H = 400 fc

Rise/Fall Time

tR/tF

lC = 1.0 mA

RL = 100 Ω

Angular

Response θ1/2

Volts, Max. µsec, Typ.

Typ.

0.40 5.0 ±15°

0.40 8.0 ±15°

Refer to General Product Notes, page 2.

PerkinElmer Optoelectronics, 10900 Page Ave., St. Louis, MO 63132 USA

Phone: 314-423-4900 Fax: 314-423-3956 Web: www.perkinelmer.com/opto

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사이트 맺음말

부품번호	상세설명 및 기능	제조사
VTT1112	NPN Phototransistors	PerkinElmer Optoelectronics
VTT1113	NPN Phototransistors	PerkinElmer Optoelectronics