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VVZ175-16IO7 데이터시트 PDF




IXYS Corporation에서 제조한 전자 부품 VVZ175-16IO7은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 VVZ175-16IO7 자료 제공

부품번호 VVZ175-16IO7 기능
기능 Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge/ B6HK
제조업체 IXYS Corporation
로고 IXYS Corporation 로고


VVZ175-16IO7 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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VVZ175-16IO7 데이터시트, 핀배열, 회로
Three Phase Half Controlled
Rectifier Bridge, B6HK
VVZ 110
VVZ 175
IdAVM = 110/167 A
VRRM = 1200-1600 V
VRSM
VDSM
V
1300
1500
1700
VRRM
VDRM
V
1200
1400
1600
Type
VVZ 110-12io7
VVZ 110-14io7
VVZ 175-12io7
VVZ 175-14io7
VVZ 175-16io7
E
D
C
A
2 31
B
Symbol
I
dAV
IFRMS, ITRMS
I ,I
FSM TSM
I2t
(di/dt)cr
(dv/dt)cr
VRGM
PGM
PGAVM
TVJ
TVJM
Tstg
VISOL
Md
Weight
Test Conditions
T
C
=
85°C;
module
per leg
T
VJ
=
45°C;
t = 10 ms (50 Hz), sine
VR = 0
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
TVJ = TVJM
VR = 0
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
TVJ = 45°C t = 10 ms (50 Hz), sine
V =0
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
R
TVJ = TVJM
V =0
R
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
TVJ = TVJM repetitive, IT = 50 A
f =400 Hz, tP =200 ms
VD = 2/3 VDRM
IG = 0.3 A, non repetitive,
diG/dt = 0.3 A/ms, IT = 1/3 • IdAV
TVJ = TVJM; VDR = 2/3 VDRM
R
GK
=
¥;
method
1
(linear
voltage
rise)
TVJ = TVJM
IT = ITAVM
tp = 30 ms
tp = 500 ms
tp = 10 ms
50/60 Hz, RMS t = 1 min
IISOL £ 1 mA
t=1s
Mounting torque (M6)
Terminal connection torque (M6)
typ.
Maximum Ratings
VVZ 110 VVZ 175
110 167 A
58 89 A
1150
1230
1500
1600
A
A
1000
1070
1350
1450
A
A
6600
6280
11200
10750
A2s
A2s
5000
4750
9100
8830
A2s
A2s
150 A/ms
500
1000
10
£ 10
£5
£1
0.5
-40...+125
125
-40...+125
2500
3000
5±15 %
5±15 %
300
A/ms
V/ms
V
W
W
W
W
°C
°C
°C
V~
V~
Nm
Nm
g
D
C~
~
E
~
321
B
-
A
+
Features
q Package with screw terminals
q Isolation voltage 3000 V~
q Planar passivated chips
q UL registered E72873
Applications
q Input rectifier for PWM converter
q Input rectifier for switch mode power
supplies (SMPS)
q Softstart capacitor charging
Advantages
q Easy to mount with two screws
q Space and weight savings
q Improved temperature and power
cycling
Data according to IEC 60747 and refer to a single thyristor/diode unless otherwise stated.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
© 2000 IXYS All rights reserved
1-2





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