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ZTX689B 데이터시트 PDF




Zetex Semiconductors에서 제조한 전자 부품 ZTX689B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 ZTX689B 자료 제공

부품번호 ZTX689B 기능
기능 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고


ZTX689B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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ZTX689B 데이터시트, 핀배열, 회로
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 1 – MAY 94
FEATURES
* 20 Volt VCEO
* Gain of 400 at IC=2 Amps
* Very low saturation voltage
APPLICATIONS
* Darlington replacement
* Flash gun convertors
* Battery powered circuits
* Motor drivers
ZTX689B
C
B
E
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Practical Power Dissipation*
Power Dissipation at Tamb=25°C
derate above 25°C
VCBO
VCEO
VEBO
ICM
IC
Ptotp
Ptot
20 V
20 V
5V
8A
3A
1.5 W
1W
5.7 mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +200
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C)
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V(BR)CBO 20
V IC=100µA
Collector-Emitter Breakdown V(BR)CEO
Voltage
20
V IC=10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V(BR)EBO
5
V IE=100µA
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter Saturation
Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
ICBO
IEBO
VCE(sat)
VBE(sat)
0.1 µA VCB=16V
0.1 µA VEB=4V
0.1 V
0.5 V
IC=0.1A, IB=0.5mA*
IC=2A, IB=10mA*
0.9 V
IC=1A, IB=10mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
VBE(on)
0.9 V
IC=1A, VCE=2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
hFE 500
400
150
IC=0.1A, VCE=2V*
IC=2A, VCE=2V*
IC=6A, VCE=2V*
3-235





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