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부품번호 | ZUMT807-25 기능 |
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기능 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR | ||
제조업체 | Zetex Semiconductors | ||
로고 | |||
SOT323 PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 2 – FEBRUARY 1999
PARTMARKING DETAILS ZUMT807-25 - T8
ZUMT807-40 - T24
COMPLEMENTARY TYPES ZUMT807-25 - ZUMT817-25
ZUMT807-40 - ZUMT817-40
ZUMT807-25
ZUMT807-40
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Base Current
Peak Base Current
Power Dissipation at Tamb=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
ICM
IC
IB
IBM
Ptot
Tj:Tstg
VALUE
-50
-45
-5
-1
-500
-100
-200
330
-55 to +150
UNIT
V
V
V
A
mA
mA
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Collector Cut-Off
Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
ICBO
IEBO
VCE(sat)
-0.1 A
-5 A
-10 A
-700 mV
VCB=-20V, IE=0
VCB=-20V, IE=0, Tamb=150°C
VEB=-5V, IC=0
IC=-500mA, IB=-50mA*
Base-Emitter
Turn-on Voltage
VBE(on)
-1.2 V
IC=-500mA, VCE=-1V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
-25
-40
Transition
Frequency
hFE
fT
100 600 IC=-100mA, VCE=-1V*
40 IC=-500mA, VCE=-1V*
160 400 IC=-100mA, VCE=-1V*
250 600 IC=-100mA, VCE=-1V*
100 MHz IC=-10mA, VCE=-5V
f=35MHz
Collector-base
Capacitance
Cobo
8.0 pF IE=Ie=0, VCB=-10V
f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300s. Duty cycle 2%
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구 성 | 총 1 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
ZUMT807-25 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR | Zetex Semiconductors |
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