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ZVN4525E6 데이터시트 PDF




Zetex Semiconductors에서 제조한 전자 부품 ZVN4525E6은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 ZVN4525E6 자료 제공

부품번호 ZVN4525E6 기능
기능 250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고


ZVN4525E6 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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ZVN4525E6 데이터시트, 핀배열, 회로
250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZVN4525E6
SUMMARY
(
DESCRIPTION
This 250V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with a
competitive specification offering efficient power handling capability, high
impedance and is free from thermal runaway and thermally induced
secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a
variety of Telecom and general high voltage circuits.
SOT89 and SOT223 versions are also available.
FEATURES
High voltage
Low on-resistance
Fast switching speed
Low gate drive
Low threshold
Complementary P-channel Type ZVP4525E6
SOT23-6 package
APPLICATIONS
Earth Recall and dialling switches
Electronic hook switches
High Voltage Power MOSFET Drivers
Telecom call routers
Solid state relays
ORDERING INFORMATION
DEVICE
REEL SIZE TAPE WIDTH (mm) QUANTITY
(inches)
PER REEL
ZVN4525E6TA
7
8mm embossed
3000 units
ZVN4525E6TC
13
8mm embossed
10000 units
DEVICE MARKING
N52
SOT23-6
Top View
ISSUE 1 - MARCH 2001
1




ZVN4525E6 pdf, 반도체, 판매, 대치품
ZVN4525E6
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP.
MAX. UNI CONDITIONS.
T
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
Gate-Source Threshold Voltage
Static Drain-Source On-State Resistance (1)
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
250
0.8
Forward Transconductance (3)
DYNAMIC (3)
gfs 0.3
285
35
±1
1.4
5.6
5.9
6.4
0.475
500
±100
1.8
8.5
9.0
9.5
V ID=1mA, VGS=0V
nA VDS=250V, VGS=0V
nA VGS=±40V, VDS=0V
V
I =1mA,
D
VDS=
VGS
VGS=10V, ID=500mA
VGS=4.5V, ID=360mA
VGS=2.4V, ID=20mA
S VDS=10V,ID=0.3A
Input Capacitance
Output Capacitance
Ciss
Coss
72
11
pF
VDS=25 V, VGS=0V,
pF f=1MHz
Reverse Transfer Capacitance
Crss
3.6
pF
SWITCHING(2) (3)
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate Drain Charge
SOURCE-DRAIN DIODE
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
1.25
1.70
11.40
3.5
2.6
0.2
0.5
3.65
0.28
0.70
ns
VDD =30V, ID=360mA
ns RG=50, Vqs=10V
(refer to test circuit)
ns
ns
nC
VDS=25V,VGS=10V,
nC ID=360mA(refer to
test circuit)
nC
Diode Forward Voltage (1)
VSD
0.97
Reverse Recovery Time (3)
trr
186 260
Reverse Recovery Charge (3)
Qrr
34 48
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle 2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
V Tj=25°C, IS=360mA,
VGS=0V
ns Tj=25°C, IF=360mA,
di/dt= 100A/µs
nC
ISSUE 1 - MARCH 2001
4

4페이지










ZVN4525E6 전자부품, 판매, 대치품
CHARACTERISTICS
ZVN4525E6
Basic Gate Charge Waveform
Gate Charge Test Circuit
Switching Time Waveforms
Switching Time Test Circuit
ISSUE 1 - MARCH 2001
7

7페이지


구       성 총 8 페이지수
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