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ZX5T853GTA 데이터시트 PDF




Zetex Semiconductors에서 제조한 전자 부품 ZX5T853GTA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 ZX5T853GTA 자료 제공

부품번호 ZX5T853GTA 기능
기능 100V NPN LOW SAT MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고


ZX5T853GTA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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ZX5T853GTA 데이터시트, 핀배열, 회로
ZX5T853G
100V NPN LOW SAT MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR
IN SOT223
SUMMARY
BVCEO = 100V : RSAT = 36m ; IC = 6A
DESCRIPTION
Packaged in the SOT223 outline this new 5th generation low saturation 100V NPN
transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC
circuits and various driving and power management functions.
FEATURES
6 amps continuous current
Up to 10 amps peak current
Very low saturation voltages
APPLICATIONS
Motor driving
Line switching
High side switches
Subscriber line interface cards (SLIC)
SOT223
ORDERING INFORMATION
DEVICE
REEL
SIZE
TAPE
WIDTH
ZX5T853GTA
ZX5T853GTC
7” 12mm
13” embossed
QUANTITY PER
REEL
1000 units
4000 units
DEVICE MARKING
X5T853
ISSUE 2 - SEPTEMBER 2003
1
PINOUT
TOP VIEW
SEMICONDUCTORS




ZX5T853GTA pdf, 반도체, 판매, 대치품
ZX5T853G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Base-emitter turn-on voltage
Static forward current transfer ratio
Transition frequency
BVCBO
BVCER
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICER
R Յ 1k
IEBO
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
HFE
fT
200 235
V IC=100A
200 235
V IC=1A, RBՅ1k
100 115
V IC=10mA*
7 8.1
V IE=100A
20 nA VCB=150V
0.5 A VCB=150V,Tamb=100ЊC
20 nA VCB=150V
0.5 A VCB=150V,Tamb=100ЊC
10 nA VEB=6V
21 35 mV IC=0.1A, IB=5mA*
50 65 mV IC=1A, IB=100mA*
95 125 mV IC=2A, IB=100mA*
180 220 mV IC=5A, IB=500mA*
1020 1120 mV IC=5A, IB=500mA*
920 1000 mV IC=5A, VCE=2V*
100 230
IC=10mA, VCE=2V*
100 200 300
IC=2A, VCE=2V*
30 60
IC=5A, VCE=2V*
10 20
IC=10A, VCE=2V*
130 MHz IC=100mA, VCE=10V
f=50MHz
Output capacitance
Switching times
COBO
tON
tOFF
26
41
1010
pF VCB=10V, f=1MHz*
ns IC=1A, VCC=10V,
IB1=IB2=100mA
* Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ 300s; duty cycle Յ2%.
SEMICONDUCTORS
ISSUE 2 - SEPTEMBER 2003
4

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