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FS10ASJ-03 데이터시트 PDF




Powerex Power에서 제조한 전자 부품 FS10ASJ-03은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FS10ASJ-03 자료 제공

부품번호 FS10ASJ-03 기능
기능 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
제조업체 Powerex Power
로고 Powerex Power 로고


FS10ASJ-03 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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FS10ASJ-03 데이터시트, 핀배열, 회로
FS10ASJ-03
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS10ASJ-03
HIGH-SPEED SWITCHING USE
OUTLINE DRAWING
6.5
5.0 ± 0.2
r
Dimensions in mm
0.5 ± 0.1
¡4V DRIVE
¡VDSS ................................................................................. 30V
¡rDS (ON) (MAX) ............................................................. 75m
¡ID ........................................................................................ 10A
¡Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ............ 35ns
APPLICATION
Motor control, Lamp control, Solenoid control
DC-DC converter, etc.
1.0
0.9MAX.
2.3 2.3
A
0.5 ± 0.2
0.8
qwe
wr
q
e
q GATE
w DRAIN
e SOURCE
r DRAIN
MP-3
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
IDA
IS
ISM
PD
Tch
Tstg
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Drain current (Pulsed)
Avalanche drain current (Pulsed)
Source current
Source current (Pulsed)
Maximum power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Weight
VGS = 0V
VDS = 0V
L = 30µH
Typical value
Conditions
Ratings
30
±20
10
40
10
10
40
20
–55 ~ +150
–55 ~ +150
0.26
Unit
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
g
Feb.1999




FS10ASJ-03 pdf, 반도체, 판매, 대치품
GATE-SOURCE VOLTAGE
VS.GATE CHARGE
(TYPICAL)
10
Tch = 25°C
ID = 10A
8
6
VDS = 10V
4
20V
25V
2
0
0 4 8 12 16 20
GATE CHARGE Qg (nC)
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS10ASJ-03
HIGH-SPEED SWITCHING USE
SOURCE-DRAIN DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
40
VGS = 0V
Pulse Test
32
24
16
8 TC = 125°C
75°C
25°C
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
SOURCE-DRAIN VOLTAGE VSD (V)
ON-STATE RESISTANCE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
101
7 VGS = 10V
5
4
ID = 1/2ID
Pulse Test
3
2
100
7
5
4
3
2
10–1
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
THRESHOLD VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
4.0
VDS = 10V
ID = 1mA
3.2
2.4
1.6
0.8
0
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
BREAKDOWN VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
1.4
VGS = 0V
ID = 1mA
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTICS
102
7
5
3
2
101
7 D = 1.0
5 0.5
3
2
0.2
PDM
100
7
0.1
5 0.05
3
2
0.02
0.01
Single Pulse
tw
T
D= tw
T
10–1
10–42 3 5710–32 3 5710–22 3 5710–12 3 57100 2 3 57101 2 3 57102
PULSE WIDTH tw (s)
Feb.1999

4페이지












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