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부품번호 | FS16KMA-4A 기능 |
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기능 | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE | ||
제조업체 | Powerex Power | ||
로고 | |||
PRELIMINARYNSootmicee:pTahriasmisetnroict laimfiintsalasrepescuibficjeacttiotno.change.
FS16KMA-4A
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS16KMA-4A
HIGH-SPEED SWITCHING USE
OUTLINE DRAWING
10 ± 0.3
Dimensions in mm
2.8 ± 0.2
φ 3.2 ± 0.2
q 10V DRIVE
q VDSS ............................................................................... 200V
q rDS (ON) (MAX) ............................................................. 0.25Ω
q ID ......................................................................................... 16A
APPLICATION
CS Switch for CRT Display monitor, Switch mode
power supply, etc.
2.54 ± 0.25
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
0.75 ± 0.15
GATE
DRAIN
SOURCE
TO-220FN
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
IDA
PD
Tch
Tstg
Viso
—
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Drain current (Pulsed)
Avalanche drain current (Pulsed)
Maximum power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Isolation voltage
Weight
VGS = 0V
VDS = 0V
L = 200µH
Conditions
AC for 1minute, Terminal to case
Typical value
Ratings
200
±20
16
48
16
35
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2000
2.0
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
°C
V
g
Sep.1998
PRELIMINARYNSootmicee:pTahriasmisetnroict laimfiintsalasrepescuibficjeacttiotno.change.
GATE-SOURCE VOLTAGE
VS. GATE CHARGE
(TYPICAL)
20
TCh = 25°C
ID = 16A
16
12
VDS = 50V
100V
8 150V
4
0
0 20 40 60 80 100
GATE CHARGE Qg (nC)
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS16KMA-4A
HIGH-SPEED SWITCHING USE
SOURCE-DRAIN DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
20
VGS = 0V
Pulse Test
16
TC = 125°C
12 75°C
25°C
8
4
0
0 0.8 1.6 2.4 3.2 4.0
SOURCE-DRAIN VOLTAGE VSD (V)
ON-STATE RESISTANCE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
101
VGS = 10V
7 ID = 8A
5 Pulse Test
3
2
100
7
5
3
2
10–1
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
THRESHOLD VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
5.0
VDS = 10V
ID = 1mA
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
BREAKDOWN VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
1.4
VGS = 0V
ID = 1mA
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
101
7
5 D = 1.0
3
2
0.5
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTICS
100 0.2
7
5
3
2
10–1
7
5
3
2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
tw
T
D= tw
T
10–2
10–42 3 5 710–32 3 5 710–22 3 5 710–12 3 5 7 100 2 3 5 7 101 2 3 5 7 102
PULSE WIDTH tw (s)
Sep.1998
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