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KBP201G 데이터시트 PDF




Diodes Incorporated에서 제조한 전자 부품 KBP201G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 KBP201G 자료 제공

부품번호 KBP201G 기능
기능 2.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
제조업체 Diodes Incorporated
로고 Diodes Incorporated 로고


KBP201G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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KBP201G 데이터시트, 핀배열, 회로
KBP2005G - KBP210G
2.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
Features
· Glass Passivated Die Construction
· High Case Dielectric Strength of 1500VRMS
· Low Reverse Leakage Current
Dim
KBP
Min
Max
· Surge Overload Rating to 65A Peak
· Ideal for Printed Circuit Board Applications
· Plastic Material - UL Flammability
J
A
Classification 94V-0
L
K
M
A 14.25 14.75
B 10.20 10.60
C 2.29 Typical
D 14.25 14.73
· UL Listed Under Recognized Component Index,
File Number E94661
+
_B
E 3.56 4.06
N G 0.76 0.86
Mechanical Data
· Case: Molded Plastic
· Terminals: Plated Leads, Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
· Polarity: Marked on Body
· Approx. Weight: 1.52 grams
H 1.17 1.42
HC
D
J
2.8 X 45°
Chamfer
G P K 0.80 1.10
L 3.35 3.65
M 3° Nominal
E N 2° Nominal
· Mounting Position: Any
P 0.30 0.64
· Marking: Type Number
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Single phase, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Symbol
KBP
2005G
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
50
RMS Reverse Voltage
VR(RMS) 35
Average Rectified Output Current
@ TC = 105°C IO
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single
half-sine-wave superimposed on rated load
IFSM
(JEDEC method)
Forward Voltage per element
@ IF = 2.0A VFM
Peak Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
IRM
Typical Junction Capacitance per Element (Note 2)
Cj
Typical Thermal Resistance (Note 1)
RqJC
Operating and Storage Temperature Range
Tj, TSTG
KBP
201G
100
70
KBP KBP KBP
202G 204G 206G
200 400 600
140 280 420
2.0
65
1.1
5.0
500
25
14
-65 to +150
KBP
208G
800
560
KBP
210G
Unit
1000 V
700 V
A
A
V
µA
pF
°C/W
°C
Notes: 1. Thermal resistance from junction to case per element. Unit mounted on 75 x 75 x 1.6mm aluminum plate heat sink.
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
DS21205 Rev. F-2
1 of 2
KBP2005G-KBP210G





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