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부품번호 | LD242-2 기능 |
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기능 | GaAs Infrared Emitter | ||
제조업체 | Siemens Group | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 242
ø0.45
2.7
Chip position
14.5 3.6
12.5 3.0
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)
Cathode (SFH 483)
Approx. weight 0.5 g
1
ø5.5
ø5.2
GET06625
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q Kathode galvanisch mit Gehäuseboden
verbunden
q Hohe Zuverlässigkeit
q Großer Öffnungskegel
q Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
q Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG
Features
q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q Cathode is electrically connected to the case
q High reliability
q Wide beam
q Same package as BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
q DIN humidity category in acc. with
DIN 40 040 GQG
Anwendungen
q IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Applications
q IR remote control and sound transmission
q Photointerrupters
Typ
Type
LD 242-2
LD 242-3
LD 242 E7800
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q198
Q62703-Q199
Q62703-Q3509
Gehäuse
Package
Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares
Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster
(1/10’’)
Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transpar-
ent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(1/10’’)
Semiconductor Group
1
1998-07-15
LD 242
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
-2 -3 78001)
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Ie
4 ... 8
IF = 1 A, tp = 100 µs
Ie typ.
50
> 6.3
75
1 ... 3.2
–
mW/sr
mW/sr
1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser
der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird sichergestellt,
daß bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der
Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen
nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken
störend (z.B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen
ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meßverfahren ergibt sich
für die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den
Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.
1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation.
Semiconductor Group
4
1998-07-15
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
LD242-2 | GaAs Infrared Emitter | Siemens Group |
LD242-3 | GaAs Infrared Emitter | Siemens Group |
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