|
|
|
부품번호 | MC-4532CC726PF-A80 기능 |
|
|
기능 | 32M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE | ||
제조업체 | NEC | ||
로고 | |||
DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
MC-4532CC726
32M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE
UNBUFFERED TYPE
Description
The MC-4532CC726 is a 33,554,432 words by 72 bits synchronous dynamic RAM module on which 18 pieces of
128M SDRAM: µPD45128841 are assembled.
This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-
mounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.
Features
• 33,554,432 words by 72 bits organization (ECC type)
• Clock frequency and access time from CLK
Part number
MC-4532CC726EF-A80
MC-4532CC726EF-A10
5 MC-4532CC726PF-A80
5 MC-4532CC726PF-A10
/CAS latency
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
Clock frequency
(MAX.)
125 MHz
100 MHz
100 MHz
77 MHz
125 MHz
100 MHz
100 MHz
77 MHz
Access time from CLK
(MAX.)
6 ns
6 ns
6 ns
7 ns
6 ns
6 ns
6 ns
7 ns
• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge
• Pulsed interface
• Possible to assert random column address in every cycle
• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)
• Programmable burst-length: 1, 2, 4, 8 and full page
• Programmable wrap sequence (Sequential / Interleave)
• Programmable /CAS latency (2, 3)
• Automatic precharge and controlled precharge
• CBR (Auto) refresh and self refresh
• All DQs have 10 Ω ±10 % of series resistor
• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply
• LVTTL compatible
• 4,096 refresh cycles/64 ms
• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command
• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)
• Unbuffered type
• Serial PD
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. M13680EJ5V0DS00 (5th edition)
Date Published January 2000 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark • shows major revised points.
©
1998
MC-4532CC726
5 Block Diagram
/WE
/CS0
DQMB0
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQMB1
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
CB 0
CB 1
CB 2
CB 3
CB 4
CB 5
CB 6
CB 7
DQMB4
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQMB5
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
/CS1
/CS2
DQMB2
DQ 7 DQM /CS
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
D0
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/WE
DQ 0 DQM /CS
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
D9
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/WE
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQMB3
DQ 7 DQM /CS
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
D1
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/WE
DQ 0 DQM /CS
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
D10
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/WE
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
DQMB5
DQ 4 DQM /CS
DQ 7
DQ 0
DQ 2
DQ 6
D2
DQ 5
DQ 3
DQ 1
/WE
DQ 3 DQM /CS
DQ 0
DQ 7
DQ 5
DQ 1
D11
DQ 2
DQ 4
DQ 6
/WE
DQMB6
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQMB7
DQ 4 DQM /CS
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 3
D5
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/WE
DQ 3 DQM /CS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 4
D14
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/WE
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQ 5 DQM /CS
DQ 7
DQ 6
DQ 4
DQ 3
D6
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/WE
DQ 2 DQM /CS
DQ 0
DQ 1
DQ 3
DQ 4
D15
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/WE
/CS3
DQ 7 DQM /CS
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
D3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/WE
DQ 0 DQM /CS
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
D12
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/WE
DQ 4 DQM /CS
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 3
D4
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/WE
DQ 3 DQM /CS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 4
D13
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/WE
DQ 7 DQM /CS
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
D7
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/WE
DQ 0 DQM /CS
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
D16
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/WE
DQ 7 DQM /CS
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
D8
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/WE
DQ 0 DQM /CS
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
D17
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/WE
SERIAL PD
SDA
CLK0
SCL
A0 A1 A2
WP
47 kΩ
SA0 SA1 SA2
CLK1
CLK: D0, D1, D2, D5, D6
CLK2
CLK: D9, D10, D11, D14, D15 CLK3
CLK: D3, D4, D7, D8
3.3 pF
CLK: D12, D13, D16, D17
3.3 pF
A0 - A11
BA0
BA1
VCC
V SS
A0 - A11: D0 - D17
A13: D0 - D17
A12: D0 - D17
D0 - D17
C
D0 - D17
/RAS
/CAS
CKE0
/RAS: D0 - D17
/CAS: D0 - D17
CKE: D0 - D8
CKE1
10 kΩ
CKE: D9-D17
Remarks 1. The value of all resistors is 10 Ω except CKE1 and WP.
2. D0 - D17: µPD45128841 (4M words × 8 bits × 4 banks)
4 Data Sheet M13680EJ5V0DS00
4페이지 MC-4532CC726
AC Characteristics (Recommended Operating Conditions Unless Otherwise Noted)
5 Test Conditions
Parameter
AC high level input voltage / low level input voltage
Input timing measurement reference level
Transition time (Input rise and fall time)
Output timing measurement reference level
2.4 V
CLK 1.4 V
0.4 V
Input
2.4 V
1.4 V
0.4 V
Output
Value
2.4 / 0.4
1.4
1
1.4
tCK
tCH tCL
tSETUP tHOLD
tAC
tOH
Unit Notes
V
V
ns
V
Data Sheet M13680EJ5V0DS00
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 16 페이지수 | ||
다운로드 | [ MC-4532CC726PF-A80.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MC-4532CC726PF-A80 | 32M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE | NEC |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |