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부품번호 | PF00105A 기능 |
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기능 | MOS FET Power Amplifier Module for AMPS Handy Phone | ||
제조업체 | Hitachi Semiconductor | ||
로고 | |||
PF00105A
MOS FET Power Amplifier Module
for AMPS Handy Phone
Features
• Low voltage operation : 4.6 V
• 2 stage amplifier : +8 dBm input
• Lead less small package : 0.2 cc
• High efficiency : 48% Typ at 1 W
• Low power control current : 500 µA Typ
Pin Arrangement
• RF-K
4 GG 3
G2
1G
1: Pin
2: Vapc
3: Vdd
4: Pout
G: GND
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Item
Supply voltage
Supply current
VAPC voltage
Input power
Operating case temperature
Storage temperature
Output power
Symbol
VDD
I DD
VAPC
Pin
Tc (op)
Tstg
Pout
Rating
10
1
4.5
20
–30 to +100
–30 to +100
2
ADE-208-447C (Z)
4th Edition
February 1998
Unit
V
A
V
mW
°C
°C
W
PF00105A
31.8
Vdd=4.6V
Vapc=2.9V
Tc=−30°C
31.6
Pout vs. Pin (1)
824MHz
836.5MHz
849MHz
31.4
31.2
31
4
31.4
Vdd=4.6V
Vapc=2.9V
Tc=25°C
68
Pin (dBm)
Pout vs. Pin (2)
824MHz
836.5MHz
849MHz
31.2
31
30.8
30.6
4
68
Pin (dBm)
10
10
4
4페이지 40
Pin=+7dBm
Vdd=4.6V
30 Tc=−30°C
Pout vs. Vapc (1)
20
10
0
−10
−20
−30 824MHz
836.5MHz
849MHz
−40
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 2.5 4 4.5 5
Vapc (V)
40
Pin=+7dBm
Vdd=4.6V
30 Tc=25°C
Pout vs. Vapc (2)
20
10
0
−10
−20
−30 824MHz
836.5MHz
849MHz
−40
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 2.5 4 4.5 5
Vapc (V)
PF00105A
7
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PF00105A | MOS FET Power Amplifier Module for AMPS Handy Phone | Hitachi Semiconductor |
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